[發明專利]一種基于脊形電極結構的納米線排列與定位方法有效
| 申請號： | 201210391210.9 | 申請日： | 2012-10-01 |
| 公開（公告）號： | CN103708411A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 黃輝;渠波;劉蓬勃 | 申請（專利權）人： | 黃輝;渠波;劉蓬勃 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 116024 遼寧省大連市甘井*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 電極 結構 納米 排列 定位 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于脊形電極結構的納米線排列與定位方法，其特征是：利用脊形電極結構頂端的電場強度最大效應，通過電場力將納米線精確定位在脊形結構頂端。
2.權利要求1所述的脊形電極結構，可以通過在脊形結構上鍍金屬電極而成。
3.權利要求2所述的脊形結構，可通過在襯底上制備掩膜，然后經腐蝕而成。
4.權利要求1所述的頂端電場強度最大效應，可以通過在脊形電極結構上涂覆不導電的膠體實現。
5.權利要求4所述的膠體，由于具備流動性，脊形結構頂端的膠體厚度最薄，因此在電極上施加電場時脊形結構頂端的感應電場強度最大。
6.權利要求3所述的脊形結構，其截面形狀可以是錐形、梯形或矩形。
7.權利要求6所述的脊形結構，可以通過控制腐蝕時間，其截面形狀由梯形變為錐形。
8.權利要求2和3所述的脊形結構，可以是分割開的多段脊形結構。
9.權利要求8所述的多段脊形結構，可以用來定位納米線，從而形成懸空的納米線結構。
10.權利要求3所述的襯底材料，優選自硅、玻璃、Al2O3、SiC、GaAs和InP。
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