[發明專利]降低俄歇電子能譜中荷電效應的方法無效
| 申請號： | 201210391136.0 | 申請日： | 2012-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN103728329A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 齊瑞娟;段淑卿;虞勤琴;范春燕;季春葵 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N23/227 | 分類號： | G01N23/227 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 電子 能譜中荷電 效應 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種降低俄歇電子能譜中荷電效應的方法，該方法包括：
提供一半導體芯片，所述半導體芯片上具有多個焊墊，所述半導體芯片下表面連接有導體；
將待分析焊墊與鄰近焊墊電性連接，并將所述鄰近焊墊與所述導體電性連接，從而形成待分析焊墊經由鄰近焊墊至導體的電子導通通道。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，待分析焊墊與鄰近焊墊電性連接采用聚焦離子束方法在待分析焊墊和鄰近焊墊之間鍍連接用的導電層。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述導電層為金屬鉑層、金屬鎢層或者碳層。
4.如權利要求1、2或3所述的方法，其特征在于，將所述鄰近焊墊與所述導體電性連接采用打線的方法。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，所述線為金線、鋁線或者銅線。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述電子導通通道的路徑從待分析焊墊依次經由多個鄰近焊墊至導體；
該方法進一步包括：將電子導通通道路徑上的兩兩鄰近焊墊之間采用聚焦離子束方法鍍連接用的導電層。
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