[發明專利]一種多晶硅通孔的制造方法

有效

• 申請號: 201210391007.1
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN103730408A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 劉繼全
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 王函

1.一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）在硅襯底上依次生長硅外延和介質層；

2）在硅襯底或硅外延上刻蝕出溝槽；

3）在溝槽側壁生長一層具有壓應力的SiGe外延層；

4）用多晶硅填充溝槽；

5）依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延層和介質層。

2.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟1）中硅外延的厚度為0.1-5微米，硅外延采用化學氣相外延的方法，生長溫度為500-1300℃，壓力為0.1-760Torr。

3.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟1）中介質層為SiO₂，SiN，SiON中的至少一種，所述介質層生長采用化學氣相沉積的方式生長，所述介質層的厚度為0.1-2微米。

4.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟2）中溝槽的寬度為0.05-5微米，深度為0.1-5微米，且溝槽深度大于硅外延的厚度；刻蝕方法采用各向異性的干法刻蝕，以光刻膠為掩模，在預定區域刻蝕出溝槽，該溝槽穿通硅外延。

5.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟3）中SiGe外延層采用化學氣相外延生長方法，生長溫度為400-1000℃，壓力0.1-760Torr，SiGe外延層的厚度為10-5000埃,SiGe外延層中Ge的摩爾百分比含量為0.1%-50%，SiGe外延層中的載流子濃度為1E15-1E22atoms/cm³。

6.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟4）中多晶硅采用化學氣相沉積的方法填充，沉積溫度為500-700℃，壓力為1mtorr-760Torr；多晶硅中的載流子濃度為1E15-1E22atoms/cm³。

7.如權利要求1所述的一種多晶硅通孔的制造方法，其特征在于，所述步驟5）中采用干法刻蝕工藝或化學機械研磨工藝依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延層和介質層。