[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體生長用基板及其制造方法、氮化物半導(dǎo)體外延基板、以及氮化物半導(dǎo)體元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210390922.9 | 申請日： | 2012-10-15 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103050597A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 藤倉序章;松田三智子;今野泰一郎 | 申請（專利權(quán)）人： | 日立電線株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/22 | 分類號(hào)： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人： | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 生長 用基板 及其 制造 方法 外延 以及 元件 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體生長用基板，其特征在于，在藍(lán)寶石基板的作為C面的主面上，以格子狀配置而形成有具有相對(duì)于所述主面以小于90°傾斜的側(cè)面的錐狀或錐臺(tái)狀的凸部，并且所述凸部距離所述主面的高度為0.5μm以上3μm以下，鄰接的所述凸部間的距離為1μm以上6μm以下，所述凸部的所述側(cè)面的表面粗糙度RMS為10nm以下。
2.一種氮化物半導(dǎo)體生長用基板的制造方法，其特征在于，在藍(lán)寶石基板的作為C面的主面上，通過光刻和干蝕刻，在所述主面上使鄰接的凸部間的距離為1μm以上6μm以下以格子狀配置而形成距離所述主面的高度為0.5μm以上3μm以下并且具有相對(duì)于所述主面以小于90°傾斜的側(cè)面的錐狀或錐臺(tái)狀的所述凸部，然后在含有氧的氛圍中對(duì)所述藍(lán)寶石基板實(shí)施退火處理，將所述凸部的所述側(cè)面的表面粗糙度RMS平坦化至10nm以下。
3.一種氮化物半導(dǎo)體外延基板，其特征在于，在權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體生長用基板上生長由氮化物半導(dǎo)體所形成的外延層直至其表面平坦化，從而形成。
4.一種氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，在權(quán)利要求3所述的氮化物半導(dǎo)體外延基板上形成有元件結(jié)構(gòu)。
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