[發明專利]一種具有高導電性的減反射膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210390782.5
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN102881727A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 朱麗萍;陳文豐;李潘劍;鄭志東
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 劉曉春

1.一種透明導電減反射膜，其特征在于，所述的透明導電減反射膜為具有絨面陷光結構的雙層薄膜，其中：

底層為腐蝕并經氫等離子處理過的n型導電ZnO薄膜(31)；

頂層為SiO₂薄膜(32)。

2.根據權利要求1所述的透明導電減反射膜，其特征在于所述n型導電ZnO薄膜(31)所進行的氫等離子處理為在射頻電源環境下進行，所述射頻電源的功率為10~20W。

3.根據權利要求2所述的透明導電減反射膜，其特征在于所述的氫等離子處理的條件為：本底氣壓低于5×10^-6Torr，工作氣壓為10～30mTorr，襯底的溫度為室溫至150℃。

4.根據權利要求1至3任一項所述的透明導電減反射膜，其特征在于所述的n型導電ZnO薄膜(31)選自未摻雜ZnO薄膜、Al摻雜的ZnO基薄膜、Ga摻雜的ZnO基薄膜、F摻雜的ZnO基薄膜中的任意一種。

5.根據權利要求1至3任一項所述的透明導電減反射膜，其特征在于所述n型導電ZnO薄膜(31)的厚度為80～150nm，SiO₂薄膜(32)的厚度為10～50nm。

6.一種透明導電減反射膜的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

1）在清潔的襯底上采用射頻磁控濺射法制備n型導電ZnO薄膜(31)，所述的襯底為石英襯底、硅襯底或玻璃襯底；

2）將步驟1)制得的n型導電ZnO薄膜(31)在濃度為0.1～1.0wt%的稀鹽酸中進行腐蝕；

3）將步驟2)腐蝕后的n型導電ZnO薄膜(31)進行氫等離子處理；

4）將步驟3)氫等離子處理后的n型導電ZnO薄膜(31)上采用射頻磁控濺射法生長一層SiO₂薄膜(32)，即制得透明導電減反射膜。

7.根據權利要求6所述的透明導電減反射膜的制備方法，其特征在于所述的n型導電ZnO薄膜(31)?選自未摻雜ZnO薄膜、Al摻雜的ZnO基薄膜、Ga摻雜的ZnO基薄膜、F摻雜的ZnO基薄膜中的任意一種。

8.根據權利要求6所述的透明導電減反射膜的制備方法，其特征在于所述n型導電ZnO薄膜(31)的厚度為80～150nm，SiO₂薄膜(32)的厚度為10～50nm。

9.根據權利要求6所述的透明導電減反射膜的制備方法，其特征在于所述步驟3)中的氫等離子處理使用的是射頻電源，其功率為10~20W。

10.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于所述步驟3)中的氫等離子處理的本底氣壓低于5×10^-6Torr，工作氣壓為10～30mTorr，襯底的溫度為室溫至150℃。