[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201210388874.X
• 申請日: 2012-10-15
• 公開（公告）號: CN103730496A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 陳士弘;謝光宇
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種半導體結構，包括：

一襯底，具有一通道區；

一柵極介電層，形成于該通道區上；

一柵極結構，形成于該柵極介電層上；

一源極導電結構和一漏極導電結構，穿過該柵極結構并電性連接于該襯底上，該源極導電結構和該漏極導電結構與該柵極結構相絕緣；以及

一柵極導電結構，形成于該柵極結構上；

其中該源極導電結構和該漏極導電結構之間相隔的一距離與該通道區的一長度為相同。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一間隔物(spacer)，形成于該源極導電結構的一側壁以及該漏極導電結構的一側壁上。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一絕緣結構，形成于該襯底上，且環繞該柵極結構。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，更包括一絕緣結構，形成于該襯底上，該絕緣結構環繞該襯底且暴露出該襯底的一部分表面。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中該柵極導電結構設置于該漏極導電結構和該源極導電結構的同一側。

6.一種半導體結構的制造方法，包括：

形成一柵極介電層于一襯底上；

形成一柵極結構于該柵極介電層上；

形成一源極導電結構和一漏極導電結構于該襯底上，其中該源極導電結構和該漏極導電結構穿過該柵極結構并電性連接于該襯底上且與該柵極結構相絕緣；以及

形成一柵極導電結構于該柵極結構上；

其中該襯底具有一通道區，該源極導電結構和該漏極導電結構之間相隔的一距離與該通道區的一長度為相同。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，更包括：

形成一間隔物于該源極導電結構的一側壁以及該漏極導電結構的一側壁上。

8.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，更包括：

形成一絕緣層于該襯底上，且該絕緣層位于該柵極導電結構、該源極導電結構及該漏極導電結構之間。

9.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，更包括：

形成一絕緣結構于該襯底上，且該絕緣結構環繞該柵極結構。

10.根據權利要求6所述的半導體結構的制造方法，更包括：

形成一源極區及一漏極區于該襯底中，其中該源極區鄰接于該源極導電結構，該漏極區鄰接于該漏極導電結構。