[發明專利]一種無膜治具及無膜工藝在COB制程中的應用有效
| 申請號: | 201210388824.1 | 申請日: | 2012-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN102915931A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發明(設計)人: | 陳烈烽;范秋林;蔣益鋒 | 申請(專利權)人: | 寧波舜宇光電信息有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京高文律師事務所 11359 | 代理人: | 徐江華 |
| 地址: | 315400 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 無膜治具 工藝 cob 中的 應用 | ||
1.一種無膜治具,包括框架、承載面、鏤空部,所述承載面在框架中間隔排列,所述承載面之間形成鏤空部。
2.根據權利要求1所述的無膜治具,其特征在于:所述承載面設置有去膠孔。
3.根據權利要求1所述的無膜治具,其特征在于:所述承載面的承載面積大于等于待處理的COB面積。
4.一種無膜工藝在COB制程中的應用,其采用前述權利要求1-3中任意一項所述的無膜治具,包括以下步驟:
1)撕下雙面膠帶一側的離型膜,粘貼在無膜治具上,所述無膜冶具的承載面和雙面膠帶對應粘合;其中所述雙面膠帶包括第一離型膜、膠帶、第二離型膜,所述膠帶分段排列,第一離型膜較第二離型膜與膠帶的粘力小;
2)撕下雙面膠帶另一側的離型膜,將COB產品粘貼到膠帶承載面對應的位置上;
3)處理COB,在COB工藝生產結束后,將雙面膠帶去除,并對無膜冶具進行清洗,循環使用。
5.根據權利要求4所述的無膜工藝在COB制程中的應用,其特征在于:步驟3)中,采用超聲波進行清洗,在使用超聲波進行清洗前先將無膜治具用酒精浸泡。
6.根據權利要求4所述的無膜工藝在COB制程中的應用,其特征在于:步驟3)中,通過所述無膜冶具的承載面設置的去膠孔去除膠帶。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





