[發明專利]一種聚乙二醇/二硫化錫插層量子點及其水熱合成方法

有效

• 申請號: 201210388645.8
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN102863955A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 宰建陶;錢雪峰;韓倩琰;李波;徐淼;黃守雙;肖映林;梁娜
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C09K11/66
• 分類號: C09K11/66
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司 31225
• 代理人: 林君如

1.一種聚乙二醇/二硫化錫插層量子點，其特征在于，該聚乙二醇/二硫化錫插層量子點以二硫化錫為主體，以聚乙二醇為插層客體，聚乙二醇進入到二硫化錫層間，擴大二硫化錫層間距。

2.根據權利要求1所述的一種聚乙二醇/二硫化錫插層量子點，其特征在于，所述的二硫化錫的層間距為0.94-0.97nm。

3.一種如權利要求1所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

(1)將錫鹽、硫源和插層客體按摩爾比為1∶2～20∶4～32混合加入到反應釜中，然后加入溶劑，配成錫鹽濃度為0.005～0.1mol/L的溶液，攪拌或超聲溶解；

(2)將反應釜密封，控制溫度140～220℃，反應時間1～72h，反應結束后將反應釜自然冷卻到室溫，將產物過濾或離心分離，用無水乙醇洗滌數次，真空抽干，即獲得聚乙二醇/二硫化錫插層量子點。

4.根據如權利要求3所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，所述的錫鹽選自草酸亞錫、硫酸亞錫、氯化亞錫、氯化錫、乙酸錫或乙酸亞錫中的一種或多種。

5.根據如權利要求3所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，所述的硫源為可以釋放出硫離子的化合物或單質。

6.根據如權利要求3或5所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，所述的硫源為硫脲、二硫化碳或硫代乙酰胺。

7.根據如權利要求3所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，所述的插層客體為分子量200到20000的聚乙二醇。

8.根據如權利要求3所述的聚乙二醇/二硫化錫插層量子點的水熱合成方法，其特征在于，所述的溶劑為濃度0.1～2mol/L的鹽酸溶液。