[發明專利]具有位于源極和漏極之間的島狀件的電路結構

有效

• 申請號: 201210388402.4
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103137681A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 游承儒;熊志文;姚福偉;許竣為;余俊磊;楊富智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種電路結構，包括：

襯底；

非故意摻雜氮化鎵(UID?GaN)層，位于所述襯底上方；

供給層，位于所述UID?GaN層上方；

柵極結構、漏極、和源極，都位于所述供給層上方，所述柵極結構設置于所述漏極和所述源極之間；

多個島狀件，位于所述柵極結構和所述漏極之間的所述供給層上方，

其中，所述柵極結構部分地設置在所述多個島狀件的至少之一的至少一部分的上方。

2.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述多個島狀件為多個p-型摻雜島狀件。

3.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述多個島狀件包含多種肖特基材料。

4.根據權利要求1所述的電路結構，其中，從頂部向下觀察時，所述多個島狀件是四邊形。

5.根據權利要求1所述的電路結構，所述多個島狀件和未被所述多個島狀件覆蓋的所述供給層的部分形成方格圖案。

6.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述多個島狀件覆蓋約40％至約75％的位于所述柵極結構和所述漏極之間的所述供給層部分。

7.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述多個島狀件中的最大島狀件部分地配置在所述柵極結構的下方。

8.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述供給層包含未摻雜的氮化鋁或者未摻雜的氮化鎵鋁。

9.根據權利要求1所述的電路結構，其中，所述多個島狀件的厚度是約3納米至約100納米。

10.一種電路結構，包括：

襯底；

III-V族化合物半導體層，位于所述襯底上方；

供給層，位于所述III-V族化合物半導體層上方；

多個p-型摻雜島狀件，位于所述供給層的漂移部分的上方；

柵極結構，位于所述漂移部分的邊緣處鄰接所述多個p-型摻雜島狀件中之一的至少一部分；

漏極，位于所述漂移部分的與所述柵極結構相對的邊緣處的所述供給層的上方，所述漏極與所述多個p-型摻雜島狀件隔離開；以及

源極，位于所述供給層上方，所述柵極結構設置在所述源極和所述漏極之間，

其中，所述供給層的漂移區占據至少50％的所述供給層。