[發明專利]一種激光承載及光束變換器件有效
| 申請號: | 201210387934.6 | 申請日: | 2012-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN103513489A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發明(設計)人: | 彭欽軍;楊峰;袁磊;袁鴻韜;薄勇;雷文強;許祖彥 | 申請(專利權)人: | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號: | G02F1/355 | 分類號: | G02F1/355;H01S3/02;H01S3/042;H01S3/10 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 激光 承載 光束 變換 器件 | ||
1.一種激光承載及光束變換器件,其特征在于,所述器件包括采用SiC單晶材料的基底;所述基底包括相對設置的第一通光面和第二通光面;并且,在所述第一通光面和/或所述第二通光面上設置有激光薄膜。
2.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述基底采用6H晶型SiC單晶材料、4H晶型SiC單晶材料、2H晶型SiC單晶材料、3C晶型SiC單晶材料或者15R晶型SiC單晶材料。
3.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述第一通光面和/或所述第二通光面為方形平面、矩形平面、圓形平面或者圓形曲面。
4.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述激光薄膜為設置在所述第一通光面或所述第二通光面上,對應0至90度入射角激光的高反膜。
5.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述激光薄膜為設置在所述第一通光面和所述第二通光面上,對應0度入射角激光的增透膜。
6.如權利要求1所述的器件,其特征在于,所述激光薄膜包括設置在所述第一通光面上對應第一入射角激光并且實現0至100%反射率的反射膜,以及設置在所述第二通光面上對應第二入射角激光的增透膜;或者,
所述激光薄膜包括設置在所述第二通光面上對應第一入射角激光并且實現0至100%反射率的反射膜,以及設置在所述第一通光面上對應第二入射角激光的增透膜;
其中,所述第一入射角介于0至90度,所述第二入射角等于所述第一入射角。
7.一種激光承載及光束變換器件,其特征在于,所述器件設置為激光變形鏡,包括SiC單晶材料的基底,所述基底包括設置第一通光面,并且在所述第一通光面設置有激光薄膜;在所述第一通光面相對的另一面通過壓電堆與底板連接。
8.如權利要求7所述的器件,其特征在于,所述激光薄膜為對應0°±5°入射角激光的高反膜。
9.一種激光承載及光束變換器件,其特征在于,所述器件設置為多波長激光合束光柵,包括SiC單晶材料的基底,所述基底包括設置第一通光面和第二通光面,在所述第一通光面或第二通光面上刻蝕光柵條紋形成反射式或透射式光柵,并且在所述第一通光面或第二通光面設置相應的對應多波長激光的高反或增透激光薄膜。
10.如權利要求7或9所述的器件,其特征在于,所述基底采用6H晶型SiC單晶材料、4H晶型SiC單晶材料、2H晶型SiC單晶材料、3C晶型SiC單晶材料或者15R晶型SiC單晶材料。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院理化技術研究所,未經中國科學院理化技術研究所許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210387934.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:單縱模光參量振蕩放大器及其自動鎖定方法
- 下一篇:顯示器





