[發明專利]晶圓級封裝機構

有效

• 申請號: 201210387604.7
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103426846B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 林俊成;洪瑞斌
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體管芯，被模塑料包圍；

所述第一半導體管芯的第一導電焊盤，其中，該導電焊盤位于所述第一半導體管芯的頂部金屬平面上；以及

再分布線(RDL)，形成在所述第一導電焊盤的上方，其中，所述RDL延伸超出所述半導體管芯的邊界，所述RDL的一部分與所述第一導電焊盤接觸，其中，所述第一導電焊盤與所述RDL的一部分接觸的表面與延伸超出所述第一半導體管芯的邊界的所述RDL下方的模塑料的表面處于不同的平面。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述RDL通過至少一個導電插塞與所述第一導電焊盤接觸。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述第一導電焊盤的表面與所述模塑料的表面之間的高度差值在大約5μm到大約100μm之間的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝件，進一步包括：

第二半導體管芯，所述第二半導體管芯包括柱形凸塊，所述柱形凸塊位于所述第二半導體管芯上方的第二導電焊盤之上。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述柱形凸塊的表面與所述模塑料的表面基本處于同一平面。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述柱形凸塊由包括鋁、銅、鋁銅合金、或它們的組合的材料制成。

7.根據權利要求4所述的半導體封裝件，其中，所述第二半導體管芯的輸入/輸出(I/O)的數量少于所述第一半導體管芯的輸入/輸出(I/O)的數量。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝件，其中，所述模塑料的表面基本平坦。

9.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

提供其上布置有粘結層的載體；

提供包括襯底的管芯，其中，多個接合焊盤形成在所述襯底的上方，并且平坦化停止層形成在所述多個接合焊盤的上方；

將所述管芯放置在所述粘結層上；

形成模塑料以覆蓋所述管芯，其中，所述模塑料包圍所述管芯；

平坦化所述模塑料，直到露出所述平坦化停止層；

去除所述平坦化停止層；以及

在所述管芯的上方形成再分布線，其中，所述再分布線電連接至所述多個接合焊盤中的至少一個。

10.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

提供其上布置有粘結層的載體；

提供包括第一襯底的第一管芯，其中，多個第一接合焊盤形成在所述襯底的上方，并且平坦化停止層形成在所述多個第一接合焊盤的上方；

在所述粘結層上放置所述第一管芯；

提供包括第二襯底的第二管芯；

在所述粘結層上放置所述第二管芯；

在所述第二管芯的多個第二接合焊盤的上方形成柱形凸塊；

形成模塑料，以覆蓋所述第一管芯和所述第二管芯，其中，所述模塑料包圍所述第一管芯和所述第二管芯；

平坦化所述模塑料，直到露出所述平坦化停止層；

去除所述平坦化停止層；以及

在所述第一管芯和所述第二管芯的上方形成再分布線，其中，所述再分布線電連接至所述多個第一接合焊盤中的至少一個和所述多個第二接合焊盤中的至少一個。