[發明專利]一種賴氨酸鹽酸鹽晶體的生產方法及其應用

有效

• 申請號: 201210387352.8
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN102875404A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 羅虎;滿云;許貴珍;陳影;周維英
• 申請（專利權）人: 中糧生物化學（安徽）股份有限公司
• 主分類號: C07C229/26
• 分類號: C07C229/26;C07C227/42
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 王鳳桐;周建秋

技術領域

本發明涉及一種賴氨酸鹽酸鹽晶體的生產方法，以及該方法在制備賴氨酸產品中的應用。

背景技術

目前工業上賴氨酸鹽酸鹽晶體產品的連續生產方法包括：先將賴氨酸發酵液經膜濾分離得到賴氨酸清液，賴氨酸清液經連續離子交換（ISEP）提純后進行濃縮，之后用鹽酸調節pH而獲得賴氨酸鹽酸鹽料液，將賴氨酸鹽酸鹽料液連續注入蒸發結晶器中，維持結晶溫度在43-60℃范圍內，再將結晶好的晶漿液進行離心并烘干而得到賴氨酸鹽酸鹽晶體產品，這樣制得的賴氨酸鹽酸鹽晶體產品的結晶率或質量較低（即產品中賴氨酸鹽酸鹽的含量較低）。

發明內容

本發明的目的是提供一種在不影響產品質量的前提下提高結晶率或者在不影響結晶率的前提下提高產品純度的賴氨酸鹽酸鹽晶體生產方法及其在制備賴氨酸產品中的應用。

本發明的發明人發現，在現有技術的方法中，通過延長濃縮結晶的時間能夠在一定程度上提高產品的結晶率，但是這在較大程度上降低了產品的質量；而想要獲得質量較高的產品，則結晶率又會受到較大的限制。

因此，為了實現上述目的，本發明提供了一種賴氨酸鹽酸鹽晶體的生產方法及其應用，其特征在于，該方法包括制備賴氨酸鹽酸鹽料液，將所述賴氨酸鹽酸鹽料液依次經過濃縮結晶和降溫結晶，再將降溫結晶獲得的晶漿液進行固液分離。

通過上述技術方案，在濃縮結晶的基礎之上繼續降溫結晶，使晶體繼續生長，這樣能夠在不影響產品質量和維持能耗不變的前提下，顯著提高賴氨酸鹽酸鹽晶體的結晶率；或者在不影響結晶率和維持能耗不變的前提下，顯著提高賴氨酸鹽酸鹽晶體的質量。

本發明的其他特征和優點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

具體實施方式

以下對本發明的具體實施方式進行詳細說明。應當理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發明，并不用于限制本發明。

本發明提供的賴氨酸鹽酸鹽晶體的生產方法包括制備賴氨酸鹽酸鹽料液，將所述賴氨酸鹽酸鹽料液依次經過濃縮結晶和降溫結晶，再將降溫結晶獲得的晶漿液進行固液分離。

本發明中，制備賴氨酸鹽酸鹽料液的方法可以為本領域常規使用的發酵提純方法，例如，可以包括制備成熟種子液，配制發酵培養基，發酵，將獲得的發酵液進行固液分離，將固液分離得到的發酵清液經ISEP提純后經濃縮再與鹽酸接觸。所述ISEP提純方法也可以為本領域的常規方法，故在此不再贅述。

本發明中，所述濃縮結晶的條件可以在較寬范圍內選擇，優選情況下，所述濃縮結晶的溫度為43-60℃。

本發明中，結束濃縮結晶的時間可以在較寬范圍內選擇，優選情況下，在所述濃縮結晶過程中，當料液中的晶體含量達30-55重量%時，結束濃縮結晶并開始降溫結晶。在工業生產中，為了在兼顧產品質量的同時確保產量，更優選當料液中的晶體含量達50-55重量%時，結束濃縮結晶并開始降溫結晶。本發明的發明人發現這樣能夠更好地實現提高結晶率或產品質量的目的。

本發明中，所述濃縮結晶可以間歇式的方式進行，也可以連續的方式進行。當所述濃縮結晶以間歇式的方式進行時，可以直接將獲得的料液中的晶體含量滿足上述條件的濃縮結晶產物在結晶器或注入降溫結晶罐中進行降溫結晶。當所述濃縮結晶以連續的方式進行時，可以將獲得的料液中的晶體含量滿足上述條件的濃縮結晶產物注入降溫結晶罐中，進行降溫結晶。所述降溫結晶罐可以是本領域技術人員公知的夾套式或蛇管式降溫結晶罐。

本發明中，所述降溫結晶可以在較寬條件下進行，優選情況下，所述降溫結晶的條件包括降溫速率為1-9℃/h，更優選為4-7℃/h。本發明的發明人發現，當控制降溫速率在上述優選范圍內時，可以避免晶體的爆發成核，減少聚晶、偽晶的形成，更加有利于提高結晶率或產品質量。

本發明中，所述降溫結晶的終點溫度值（即待進行固液分離的晶漿液的溫度）可以為10-25℃。

本發明中，所述賴氨酸鹽酸鹽料液中賴氨酸鹽酸鹽的濃度通常為50-55重量%。

本發明中，所述方法還可以包括將固液分離獲得的晶體進行干燥的步驟。所述干燥的方式可以為本領域技術人員熟知的各種干燥方式，例如，自然干燥、鼓風干燥、真空干燥等各種常規的干燥方式，在此不再贅述。

本發明還提供了上述方法在制備賴氨酸產品中的應用。

以上詳細描述了本發明的優選實施方式，但是，本發明并不限于上述實施方式中的具體細節，在本發明的技術構思范圍內，可以對本發明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發明的保護范圍。