[發明專利]用于沉積的掩模及其制造方法

在審

• 申請號: 201210387327.X
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN103132015A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 朱星中;許明洙;鄭石源;張喆旼;李成用;趙喆來;韓仁愛
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C16/04
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 余朦;姚志遠

技術領域

本發明涉及沉積掩模以及制造沉積掩模的方法。更具體地，本發明涉及用于對有機發光二極管（OLED）顯示器的有機層進行沉積的沉積掩模以及制造該沉積掩模的方法。

背景技術

通常，有機材料沉積裝置可通過在真空狀態下向有機材料施加電流而在襯底上以層的形式沉積有機材料。有機材料沉積裝置可包括沉積掩模，以在襯底上形成有機層的期望圖案。當在大尺寸襯底上沉積有機材料時，可使用精細金屬掩模（FMM）作為沉積掩模。由于FMM是具有高耐久度和強度的高精確度金屬掩模，故可在大尺寸襯底上以期望的圖案沉積有機材料。

FMM可以是用于在大尺寸襯底上以高精確度圖案沉積有機材料的沉積掩模。

使用FMM，能夠同時在襯底上形成有機材料的多個期望的高精確度圖案。這種FMM可包括多個方形狹縫或多個條形狹縫，這些狹縫允許有機材料穿過FMM，從而以期望的圖案沉積有機材料。

背景技術部分公開的上述信息僅用于增強對本發明的背景技術的理解，因此其可以包括不構成在本國已經為本領域技術人員所知的現有技術的信息。

發明內容

本發明已經被開發并試圖提供沉積掩模及其制造方法，所述沉積掩模及其制造方法優點在于制造具有狹縫的沉積掩模，其中每個狹縫具有精細地控制的尺寸。

本發明的示例性實施方式提供了一種沉積掩模，該沉積掩?？砂ㄑ谀Ｖ黧w和涂層。掩模主體可包括穿透該掩模主體的多個狹縫。涂層可通過原子層沉積（ALD）涂覆于掩模主體的整個表面上。

涂層可由與掩模主體的材料不同的材料制成。

掩模主體可以是磁性物質。

涂層的磁力可強于所述掩模主體的磁力。

涂層可由氧化物制成。

狹縫可具有開口區，并且涂層的厚度可控制開口區的寬度。

本發明的另一個示例性實施方式提供了一種制造沉積掩模的方法。該方法可包括：在掩模主體處形成多個狹縫，以穿透所述掩模主體；以及通過原子層沉積（ALD），在掩模主體的整個表面上形成涂層。

形成多個狹縫的步驟可使用光刻處理執行。

在形成涂層的步驟中，可控制涂層的厚度，以控制每個狹縫的開口區的寬度。

本發明的實施方式提供了包括狹縫的沉積掩模以及用于制造該掩模的方法，其中，所述狹縫具有精細控制的尺寸。

附圖說明

在結合附圖進行考慮時，通過參照下面的詳細描述，本發明的更加完整的領會及其許多附加優點得到更好的理解并且將變得更加顯而易見，其中相同的參考標號指示相同或相似的組件，其中：

圖1示出包括根據本發明的第一示例性實施方式的沉積掩模的有機材料沉積裝置；

圖2是示出圖1的沉積掩模和框架的立體圖；

圖3是沉積掩模沿圖2的線III-III截取的截面圖；

圖4是示出根據本發明的第二示例性實施方式的制造沉積掩模的方法的流程圖；

圖5是用于描述根據本發明的第二示例性實施方式的制造沉積掩模的方法的截面圖；

圖6是用于描述根據本發明的第三示例性實施方式的制造沉積掩模的方法的截面圖；

圖7是用于描述根據本發明的第四示例性實施方式的制造沉積掩模的方法的截面圖；以及

圖8是示出根據本發明的第五示例性實施方式的沉積掩模的截面圖。

具體實施方式

在下面的詳細描述中，僅通過圖示簡單地示出和描述了本發明的某些示例性實施方式。本領域技術人員將了解，在不背離本發明的精神或范圍的情況下，可通過各種不同方式對所述實施方式進行修改。

因此，附圖和描述本質上被認為是示意性而非限制性的。在說明書中，相同的參考標號指代相同元件。

在附圖中，各元件的尺寸和厚度被近似地示出以使描述得到更好的理解。因此，本發明不限于附圖。

在附圖中，層、膜、面板、區域等的厚度為了清楚而被放大。在附圖中，各元件的尺寸和厚度被放大以使描述得到更好的理解。應理解，當元件諸如層、膜、區域或襯底被稱為位于另一個元件“上”時，其能夠直接位于另一個元件上，或者也可存在中間元件。

此外，除非另有說明，詞語“包括”及其變體，諸如“包含”或“包含有”，將被理解為包括所述元件，但是不排除其它元件。應當理解，當一個元件諸如層、膜、區域或襯底稱作位于另一元件“之上”時，該一個元件可以位于該另一元件之上或之下。元件可能不在重力方向上位于另一個元件上。

在下文中，將參照圖1至圖3對根據本發明的第一示例性實施方式的沉積掩模進行描述。