[發(fā)明專利]一種電感器和EMI濾波器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210387231.3 | 申請日: | 2012-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN103730244A | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張春光;周建平;劉明明 | 申請(專利權(quán))人: | 中興通訊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01F37/00 | 分類號: | H01F37/00;H01F27/30;H03H7/09 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 張愷寧 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 電感器 emi 濾波器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電磁兼容領(lǐng)域,特別涉及一種電感器和EMI濾波器。
背景技術(shù)
與電子設(shè)備連接的電源線是電磁干擾傳入和傳出電子設(shè)備的主要途徑,現(xiàn)有技術(shù)中,一般采用在電子設(shè)備的電源進線處和/或電子設(shè)備的電源出線處加EMI(電磁干擾)濾波器的方法來實現(xiàn)抑制電磁干擾,傳統(tǒng)的EMI濾波器是由分立的電感器和電容器構(gòu)成。
電感器是由磁芯和線圈組成,分為共模電感器和差模電感器,電感器的磁芯有EE型、EI型、I型以及罐型等多種形狀,線圈用于纏繞在磁芯上。現(xiàn)有技術(shù)中,由于要在EE型、EI型、I型或者罐型的磁芯上纏繞多層線圈,從而導(dǎo)致電感器的寄生參數(shù)比較大,針對共模電感,由于兩組線圈共用磁芯,距離很近,而且每組線圈都有多層,因而導(dǎo)致電感器的寄生耦合參數(shù)比較大。
而針對包含上述電感器的EMI濾波器,由于電感器的寄生參數(shù)比較大以及寄生耦合參數(shù)比較大,從而使得EMI濾波器的諧振點比較低,進而EMI濾波器的高頻性能比較差。
綜上所述,目前電感器的寄生參數(shù)比較大以及寄生耦合參數(shù)比較大,包含上述電感器的EMI濾波器的高頻性能比較差。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供的一種電感器,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的電感器的寄生參數(shù)比較大以及寄生耦合參數(shù)比較大的問題;
相應(yīng)地,本發(fā)明實施例還提供的一種EMI濾波器,用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的EMI濾波器的高頻性能比較差的問題。
本發(fā)明實施例提供的一種電感器,包括穿孔平板磁矩陣和至少一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線;帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔。
本發(fā)明實施例還提供的一種電磁干擾EMI濾波器,包括上述的電感器。
在本發(fā)明實施例中,電感器包括穿孔平板磁矩陣和至少一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線;帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔,因為本發(fā)明實施例提供的電感器的穿孔平板磁矩陣相當于傳統(tǒng)電感器的磁芯,本發(fā)明實施例提供的電感器的帶有電磁干擾的導(dǎo)線相當于傳統(tǒng)電感器的線圈,帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔相當于線圈纏繞磁芯,所以帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔實現(xiàn)電感器的功能,在本發(fā)明實施例中,一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔相當于一個差模電感器,至少兩根帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的相同的穿孔路徑相當于一個共模電感器,由于可以只用一根導(dǎo)線形成一個差模電感器,可用兩根導(dǎo)線形成一個共模電感器,實現(xiàn)了用一層導(dǎo)線形成電感器從而減小了電感器的寄生參數(shù)以及電感器的寄生耦合參數(shù),另外,由于本發(fā)明提供的EMI濾波器包括具有較小寄生參數(shù)以及較小寄生耦合參數(shù)的電感器,從而使得EMI濾波器的諧振點升高了,進而提高了EMI濾波器的高頻性能。
附圖說明
圖1為本發(fā)明實施例差模電感結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例共模電感結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例差模電感和共模電感結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4為本發(fā)明實施例穿孔路徑示意圖;
圖5為本發(fā)明實施例穿孔數(shù)量示意圖;
圖6為本發(fā)明實施例EMI濾波器結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
在本發(fā)明實施例中,電感器包括穿孔平板磁矩陣和至少一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線;帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔,因為本發(fā)明實施例提供的電感器的穿孔平板磁矩陣相當于傳統(tǒng)電感器的磁芯,本發(fā)明實施例提供的電感器的帶有電磁干擾的導(dǎo)線相當于傳統(tǒng)電感器的線圈,帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔相當于線圈纏繞磁芯,所以帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔實現(xiàn)電感器的功能,在本發(fā)明實施例中,一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔相當于一個差模電感器,至少兩根帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的相同的穿孔路徑相當于一個共模電感器,由于可以只用一根導(dǎo)線形成一個差模電感器,可用兩根導(dǎo)線形成一個共模電感器,實現(xiàn)了用一層導(dǎo)線形成電感器從而減小了電感器的寄生參數(shù)以及電感器的寄生耦合參數(shù),另外,由于本發(fā)明提供的EMI濾波器包括具有較小寄生參數(shù)以及較小寄生耦合參數(shù)的電感器,從而使得EMI濾波器的諧振點升高了,進而提高了EMI濾波器的高頻性能。
下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例作進一步詳細描述。
本發(fā)明實施例的電感器,包括穿孔平板磁矩陣和至少一根帶有電磁干擾的導(dǎo)線;帶有電磁干擾的導(dǎo)線穿過穿孔平板磁矩陣的至少一個穿孔。
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