[發(fā)明專利]低阻抗柵極控制方法和設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210386982.3 | 申請日： | 2012-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN103051312A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設計）人： | 賴因霍爾德·巴耶爾埃爾;丹尼爾·多梅斯 | 申請（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/567 | 分類號： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 余剛;吳孟秋 |
| 地址： | 德國瑙伊*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阻抗 柵極 控制 方法 設備 | ||
1.一種模塊，包括：
多個柵極驅(qū)動器芯片，并聯(lián)耦接并具有共用柵極輸入端、共用電源電壓和共用輸出端，所述多個芯片彼此隔開并具有在第一外部芯片的邊緣和第二外部芯片的相對邊緣之間延伸的組合寬度；
多個電容器，并聯(lián)耦接在地和所述共用電源電壓之間；以及
橫向電磁（TEM）傳輸線介質(zhì)，耦接至所述多個芯片的共用輸出端且電流方向垂直于所述多個芯片的所述組合寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)為包括第一導電帶和第二導電帶的帶狀線，所述第一導電帶與所述第二導電帶介電絕緣，所述第一導電帶耦接至所述多個芯片的所述共用輸出端，所述第二導電帶耦接至地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括多個彼此介電絕緣的導線，且其中，每個導線的電感大于所有導線的組合電感。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括多個彼此介電絕緣的導線，且其中，每個其他的導線耦接至所述多個芯片的所述共用輸出端，而剩余的導線耦接至地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)經(jīng)由多個接合線耦接至所述多個芯片的所述共用輸出端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)直接連接至每個芯片的輸出端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，其中，所述多個芯片設置在絕緣體上，且其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括設置在所述絕緣體第一側(cè)上并連接至所述多個芯片的所述共用輸出端的第一金屬化層和設置在所述絕緣體的相對的第二側(cè)上并連接至地的第二金屬化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的模塊，進一步包括多個功率晶體管芯片，所述多個功率晶體管芯片與所述多個柵極驅(qū)動器芯片集成在同一模塊中并具有經(jīng)由所述TEM傳輸線介質(zhì)耦接至所述多個柵極驅(qū)動器芯片的所述共用輸出端的共用柵極輸入端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的模塊，其中，所述多個功率晶體管芯片具有經(jīng)由所述TEM傳輸線介質(zhì)耦接至地的共用未上電發(fā)射極輸入端。
10.一種模塊，包括：
多個功率晶體管芯片，并聯(lián)耦接并具有共用柵極輸入端、共用電源電壓和共用輸出端，所述多個芯片彼此隔開并具有在第一外部芯片的邊緣和第二外部芯片的相對邊緣之間延伸的組合寬度；
多個電容器，并聯(lián)耦接在地和所述共用電源電壓之間；以及
橫向電磁（TEM）傳輸線介質(zhì)，耦接至所述多個芯片的共用柵極輸入端且電流方向垂直于所述多個芯片的所述組合寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)為包括第一導電帶和第二導電帶的帶狀線，所述第一導電帶與所述第二導電帶介電絕緣，所述第一導電帶耦接至所述多個芯片的所述共用柵極，且所述第二導電帶耦接至地。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括多個彼此介電絕緣的導線，且其中，每個導線的電感大于所有導線的組合電感。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括多個彼此介電絕緣的導線，且其中，每個其他導線耦接至所述多個芯片的所述共用柵極輸入端，而剩余導線耦接至地。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)經(jīng)由多個接合線耦接至所述多個芯片的所述共用柵極輸入端。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)直接連接至每個芯片的柵極輸入端。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，其中，所述多個芯片設置在絕緣體上，且其中，所述TEM傳輸線介質(zhì)包括設置在所述絕緣體第一側(cè)上并連接至所述多個芯片的所述共用柵極輸入端的第一金屬化層和設置在所述絕緣體相對的第二側(cè)上并連接至地的第二金屬化層。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的模塊，進一步包括與多個柵極驅(qū)動器芯片，所述多個柵極驅(qū)動器芯片與所述多個功率晶體管芯片集成在同一模塊中，所述多個柵極驅(qū)動器芯片具有經(jīng)由所述TEM傳輸線介質(zhì)耦接至所述多個功率晶體管芯片的所述共用柵極輸入端的共用輸出端。
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