[發明專利]用于覆晶接合的熱壓頭

無效

• 申請號: 201210385738.5
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN102881622A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 張惠珊;洪嘉臨;黃崇杰
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/603
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術領域

本發明關于一種芯片接合，詳言之，關于熱壓接合。

背景技術

熱壓頭用以載送一芯片至一基板上方的位置，接著熱壓該芯片以接合至該基板。已知熱壓頭僅具有一真空孔。為了提供有效的吸取，該真空孔的尺寸相當大，例如2.5毫米。然而，該熱壓頭會在該真空孔的位置附近造成大量的變形，尤其該芯片很薄時。因此，導致該芯片及該基板間的連結效果不良。

發明內容

本揭露的一方面關于一種熱壓頭。在一實施例中，該熱壓頭包括一主體部；及一接觸部，該接觸部包含一接觸面及一內部，其中該接觸面包含數個接觸面開口，該些接觸面開口延伸至該內部。該接觸部位于該主體部上，該些接觸面開口經由該內部及該主體部的開口連通至真空源。在本實施例中，該熱壓頭由剛性且可導熱的材質(例如不銹鋼)所制成。為了減少該芯片上的應力，該些接觸面開口相當小，較佳地，小于0.2毫米，且在該接觸面的表面上大致上等距地間隔。該些接觸面開口所占的面積小于該接觸面的表面積的10％。

在一實施例中，該接觸部更包含一凹陷部，其用以在熱接合過程中，防止過多施加在基板上的底膠堆積在熱壓頭上。該凹陷部可具有一高度及一寬度，該高度等于或大于1毫米，且該寬度等于或大于0.5毫米。

本揭露的另一方面關于一種使用熱壓頭的覆晶接合方法。該覆晶接合的方法包括吸取一芯片的一第一表面，其中該芯片的該第一表面具有數個吸取區域，且該些吸取區域彼此間隔；及熱壓該芯片至一基板上。該吸取方式由真空吸力所達成。所有該些吸取區域的面積小于該芯片的該第一表面的面積的10％。

附圖說明

圖1至圖5顯示本發明熱壓頭及利用該熱壓頭的覆晶接合工藝的一實施例的示意圖；

圖6至圖10顯示本發明熱壓頭及利用該熱壓頭的覆晶接合工藝的另一實施例的示意圖；

圖11顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖11A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖12顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖12A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖13顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖13A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖14顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖14A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖15顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖15A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖16顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；

圖16A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖；

圖17顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的剖視示意圖；及

圖17A顯示根據本發明熱壓頭的另一實施例的仰視示意圖。

具體實施方式

參考圖1，顯示一熱壓頭1。該熱壓頭1包括一主體部11及一接觸部12。在本實施例中，該接觸部12位于該主體部11上，且該主體部11及該接觸部12一體成型。在本實施例中，該熱壓頭1由剛性且可導熱的材質(例如不銹鋼)所制成。該接觸部12包含一接觸面121及數個接觸面開口122，該些接觸面開口122形成于該接觸面121內。該接觸部12的該接觸面121用以接觸一芯片。該些接觸面開口122彼此間隔。較佳地，該些接觸面開口122間的節距(Pitch)大致相等，且該些接觸面開口122在該接觸面121上大致上均勻分布。該些接觸面開口122的寬度相當小。在本實施例中，為了提供均勻真空吸力在該芯片上，以及考慮機械鉆孔能力，該些接觸面開口122間的節距(Pitch)在約1毫米至0.5毫米的范圍中，且該些接觸面開口122的寬度小于約0.2毫米。在本實施例中，該些接觸面開口122在該接觸面121所占的面積小于該接觸面121的表面積的10％。

參考圖2，顯示圖1的剖視圖。如圖所示，該主體部11具有一主體部開口111。在本實施例中，該接觸部12更具有一內部124。該些接觸面開口122延伸至該內部124，且連通至該主體部開口111。該主體部開口111連通至一真空源(圖中未示)，因此，該熱壓頭1可用以經由該些接觸面開口122而利用真空吸力以進行芯片吸取工藝。