[發明專利]電控太赫茲波偏振分束器

無效

• 申請號: 201210385681.9
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號: CN102928996A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 李九生
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種電控太赫茲波偏振分束器，其特征在于包括太赫茲波輸入端（1）、聚合物傳輸波導（2）、高電導率材料層（3）、電極（4）、基體（5）、太赫茲波輸出端（6）；聚合物傳輸波導（2）由第一聚合物傳輸波導（7）、第二聚合物傳輸波導（8）和第三聚合物傳輸波導（9）順次連接而成，第一聚合物傳輸波導（7）和第三聚合物傳輸波導（9）由內導體（10）和外層包覆層（11）組成，第二聚合物傳輸波導（8）由切除聚合物傳輸波導中內導體（10）以上的部分區域后的余下部分組成，高電導率材料層（3）對稱放置在第二聚合物傳輸波導（8）上，高電導率材料層（3）的長度與第二聚合物傳輸波導（8）的長度相等，高電導率材料層（3）上兩側對稱設有電極（4），聚合物傳輸波導（2）嵌入在基體（5）中，太赫茲波從太赫茲波輸入端（1）沿聚合物傳輸波導輸入，當在電極（4）兩端加上電壓時，TE波從太赫茲波輸出端（6）輸出，當電極（4）兩端無外加電壓時，TM波從太赫茲波輸出端（6）輸出，這實現了電控偏振分束的功能。

2.根據權利要求1所述的一種電控太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的基體（5）為高阻硅，長為5000μm~8000μm，寬為3000μm~5000μm，高為600μm~800μm。

3.根據權利要求1所述的一種電控太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的聚合物傳輸波導（2）嵌入在基體（5）中的深度為75μm~80μm，內導體（10）的半徑為20μm~30μm，外層包覆層（11）的半徑50μm~80μm。

4.根據權利要求1所述的一種電控太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的高電導率材料層（3）長為1500μm~2000μm，寬為800μm~1000μm，厚為5μm~10μm；高電導率材料層（3）下側離圓心的距離為?25μm~40μm。

5.根據權利要求1所述的一種電控太赫茲波偏振分束器，其特征在于所述的電極（4）長為1500μm~2000μm，寬為100μm~200μm，厚為20μm~40μm。