[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210385352.4
• 申請(qǐng)日: 2012-10-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103050594A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村田徹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備基板的工序，該基板在表面具有凹部和設(shè)置于所述凹部之間的凸部且由三方晶系剛玉或六方晶系晶體形成；

在所述基板上形成氮化物半導(dǎo)體中間層的工序；

在所述氮化物半導(dǎo)體中間層上形成第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；

在所述第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上形成第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；

在所述第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層上通過(guò)MOCVD法形成第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序；

所述第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的表面具有第一小斜面和第一平坦區(qū)域；

在所述第一氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的所述表面中，所述第一小斜面所占面積比例小于所述第一平坦區(qū)域所占面積比例；

所述第二氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層具有環(huán)繞所述凸部的第二小斜面；

所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的下表面與所述第二小斜面相接；

在形成所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序中，所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長(zhǎng)時(shí)單位時(shí)間所提供的V族原料氣的摩爾量與單位時(shí)間所提供的III族原料氣的摩爾量之比即V/III比為700以下，所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長(zhǎng)時(shí)的壓力為26.6kPa以上，所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的生長(zhǎng)速度為2.5μm/h以上。

2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層的工序中，在所述第三氮化物半導(dǎo)體基礎(chǔ)層生長(zhǎng)時(shí)提供不足198slm的氫。