[發明專利]一種基準電壓源電路

有效

• 申請號: 201210385231.X
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN102866721A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 彭韶華;劉祖韜
• 申請（專利權）人: 上海新進半導體制造有限公司
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種基準電壓源電路，其特征在于，包括：

基準源單元，用于接收電源電壓信號，將所述電源電壓信號轉換為第一基準電壓信號后輸出，所述第一基準電壓信號為對電源的基準電壓信號；

一端連接所述基準源單元的輸出端，另一端連接電源的第一電阻；

一端與所述基準源單元的輸出端相連，另一端接地的第二電阻。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述基準源單元包括：電壓偏置單元、第一增強型PMOS晶體管、第二增強型NMOS晶體管和第三耗盡型PMOS晶體管；其中：

所述電壓偏置單元接收電源電壓信號，另一端接地，輸出端連接所述第二增強型NMOS晶體管的柵極；所述第二增強型NMOS晶體管的源極與所述第三耗盡型PMOS晶體管的源極相連；

所述第一增強型PMOS晶體管的源極與襯底相連，接收所述電源電壓信號，漏極與所述第二增強型NMOS晶體管的漏極相連，柵極為所述基準源單元的輸出端；

所述第三耗盡型PMOS晶體管的柵極與源極短接，并與襯底相連，漏極接地。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述基準電壓源電路還包括負反饋單元，所述負反饋單元的輸入端與所述基準源單元的輸出端相連，所述負反饋單元的輸出端與所述第二電阻不接地的一端相連，所述負反饋單元的控制端與所述基準源單元內的所述第一增強型PMOS晶體管的漏極相連。

4.根據權利要求2所述的單元，其特征在于，所述電壓偏置單元包括：第四耗盡型PMOS晶體管、第五增強型NMOS晶體管和第六增強型NMOS晶體管；其中：

所述第四耗盡型PMOS晶體管的源極與柵極短接，并與襯底相連，接收所述電源電壓信號，漏極與所述第五增強型NMOS晶體管的漏極相連，連接點與所述第二增強型NMOS晶體管的柵極相連；

所述第五增強型NMOS晶體管的柵極與漏極相連，源極與所述第六增強型NMOS晶體管的漏極相連；

所述第六增強型NMOS晶體管的柵極與漏極相連，源極接地；

所述第五增強型NMOS晶體管的襯底與所述第六增強型NMOS晶體管的襯底相連并接地。

5.根據權利要求3所述的單元，其特征在于，所述負反饋單元為第七耗盡型PMOS晶體管，所述第七耗盡型PMOS晶體管的襯底與源極相連。

6.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述基準電壓源電路還包括：第三電阻與電容，所述第三電阻的一端與所述第二電阻不接地的一端相連，另一端與所述電容的一端相連，所述電容的另一端接地。