[發明專利]MEMS器件、其條帶測試方法及其測試條帶

有效

• 申請號: 201210385087.X
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103033699B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: M·阿佐帕迪;C·卡奇雅;S·波茲
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司;意法半導體(馬耳他)有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00;G01D5/12
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華

1.一種用于測試MEMS器件(1)的條帶(10)的方法，所述MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的內部表面(3a)并且由保護材料(5)覆蓋的半導體材料的相應裸片(6；7)；所述方法包括：

檢測由所述MEMS器件(1)響應于至少一個測試激勵而生成的輸出值；以及

在檢測步驟之前，至少部分地分隔所述條帶(10)中的鄰接的MEMS器件(1)，

其特征在于，分隔步驟包括在所述鄰接的MEMS器件(1)之間限定分隔溝槽(14)，所述分隔溝槽(14)延伸穿過所述保護材料(5)的整個厚度并且穿過所述基板(3)的、從其所述內部表面(3a)開始的表面部分，

其中所述基板(3)的所述表面部分承載所述鄰接的MEMS器件(1)之間的電連接(32；34)；并且所述分隔步驟包括經由移除所述基板(3)的所述表面部分電絕緣所述鄰接的MEMS器件(1)，

其中所述鄰接的MEMS器件(1)之間的所述電連接包括連接至設計用于鍍覆操作的共同鍍覆條(34)的鍍覆跡線(32)，所述鍍覆條(34)限定所述鄰接的MEMS器件(1)之間的邊界；并且其中所述分隔步驟包括移除所述鍍覆條(34)和連接至所述鍍覆條(34)的所述鍍覆跡線(32)的至少部分。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述分隔溝槽(14)在所述基板(3)中的延伸(h)并不高于所述基板(3)的厚度的一半。

3.根據權利要求1或者2所述的方法，其中所述分隔步驟包括在所述鄰接的MEMS器件(1)之間留下所述基板(3)的、限定其外部表面(3b)的剩余部分(12)；所述MEMS器件(1)在所述檢測步驟期間由所述基板(3)的所述剩余部分(12)保持在一起。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述分隔步驟包括物理地和電學地分隔所述鄰接的MEMS器件(1)。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述鄰接的MEMS器件(1)之間的電連接(32；34)僅提供在所述基板(3)的所述表面部分內。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述基板(3)具有多層結構，所述多層結構包括由電介質層(22)分隔的多個堆疊的導電層(21)；并且其中所述基板(3)的所述表面部分包括在所述堆疊的導電層(21)中的多個表面導電層(21)，并且所述鍍覆跡線(32)和鍍覆條(34)形成于所述表面導電層(21)中。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述MEMS器件(1)是傳感器器件，每個傳感器器件包括集成有檢測結構的MEMS裸片(6)和集成有耦合至所述檢測結構的接口電子器件的ASIC裸片(7)。

8.一種設計用于經歷測試操作的MEMS器件(1)的條帶(10)，其中所述MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的內部表面(3a)并且由保護材料(5)覆蓋的半導體材料的相應裸片(6；7)，并且其中鄰接的MEMS器件(1)在所述條帶(10)中至少部分地分隔；

其特征在于，其包括在所述鄰接的MEMS器件(1)之間的分隔溝槽(14)，所述分隔溝槽(14)延伸穿過所述保護材料(5)的整個厚度并且穿過所述基板(3)的、從其所述內部表面(3a)開始的表面部分，

其中所述基板(3)的所述表面部分承載所述鄰接的MEMS器件(1)之間的電連接(32；34)；并且所述分隔步驟包括經由移除所述基板(3)的所述表面部分電絕緣所述鄰接的MEMS器件(1)，

其中所述鄰接的MEMS器件(1)之間的所述電連接包括連接至設計用于鍍覆操作的共同鍍覆條(34)的鍍覆跡線(32)，所述鍍覆條(34)限定所述鄰接的MEMS器件(1)之間的邊界；并且其中所述分隔步驟包括移除所述鍍覆條(34)和連接至所述鍍覆條(34)的所述鍍覆跡線(32)的至少部分。

9.根據權利要求8所述的條帶，其中所述分隔溝槽(14)在所述基板(3)中的高度(h)并不高于所述基板(3)的厚度的一半。

10.根據權利要求8或9所述的條帶，包括在所述鄰接的MEMS器件(1)之間的、所述基板(3)的、限定其外部表面(3b)的剩余部分(12)；其中所述MEMS器件(1)被設計成在所述測試操作期間由所述基板(3)的所述剩余部分(12)保持在一起。