[發明專利]太赫茲頻段對數周期形混頻天線

有效

• 申請號: 201210384801.3
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN102881988A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 孫麗華
• 申請（專利權）人: 孫麗華
• 主分類號: H01Q1/22
• 分類號: H01Q1/22;H01Q23/00;H01L21/77;H01L27/06
• 代理公司: 北京思睿峰知識產權代理有限公司 11396
• 代理人: 龔海軍

1.一種太赫茲頻段對數周期型混頻天線，包括對數周期形天線和肖特基二極管，肖特基二極管包括肖特基接觸電極、歐姆接觸電極和電鍍引線，肖特基二極管位于對數周期形天線的射頻饋電端口位置；肖特基二極管的肖特基接觸電極通過電鍍引線與對數周期形天線的一極相連；肖特基二極管的歐姆接觸電極與對數周期形天線的另一極相連；采用半導體工藝制作肖特基二極管和對數周期形天線，采用半導體工藝制作肖特基二極管和對數周期形天線，肖特基二極管和對數周期形天線以半絕緣砷化鎵層為襯底。

2.根據權利要求1所述的太赫茲頻段對數周期型混頻天線，其特征在；在半絕緣砷化鎵層上形成重摻雜n+型砷化鎵層，在重摻雜n+型砷化鎵層上形成輕摻雜n-型砷化鎵層；所述的重摻雜n+型砷化鎵層的摻雜濃度為10¹⁸量級；所述的輕摻雜n-型砷化鎵層的摻雜濃度為10¹⁶～10¹⁷量級；所摻雜質為硅。

3.根據權利要求2所述的太赫茲頻段對數周期型混頻天線，其特征在于：在輕摻雜n-GaAs層(33)上形成二氧化硅層(34)，在二氧化硅層(34)開有小孔，肖特基接觸電極(21)位于小孔中，肖特基接觸電極(21)與輕摻雜n-型砷化鎵層(33)接觸形成肖特基結；歐姆接觸電極(22)形成在重摻雜n+型砷化鎵層(32)上；電鍍引線(23)形成在二氧化硅層(34)和肖特基接觸電極(21)上；

太赫茲肖特基二極管還包括溝道(28)，溝道(28)形成在重摻雜n+GaAs層(32)、輕摻雜n-GaAs層(33)和二氧化硅層(34)中，溝道(28)中重摻雜n+GaAs層(32)、輕摻雜n-GaAs層(33)和二氧化硅層(34)被除去；溝道(28)的形狀為反錐形，溝道(28)的下表面與半絕緣GaAs材料(31)接觸，溝道(28)的上表面與電鍍引線(23)接觸，溝道(28)的側面從溝道(28)的下表面相對于半絕緣GaAs材料(31)成預定的角度延伸到上表面，溝道(28)的上表面大于溝道(28)的下表面；

對數周期形天線的金屬形成在半絕緣砷化鎵層(31)或重摻雜n+型砷化鎵層(32)上。

4.根據權利要求3所述的太赫茲頻段對數周期型混頻天線，其特征在于：肖特基接觸電極是圓柱形或者近圓柱形；歐姆接觸電極(22)靠近肖特基接觸電極(21)的一邊是有一開口的圓柱面或近圓柱面，所述圓柱面或近圓柱面是與圓柱形或者近圓柱形的肖特基接觸電極(21)同心的圓柱面，所述圓柱面或近圓柱面的橫截面是一段圓弧或近圓弧，所述圓弧或近圓弧的一端到所述圓弧或近圓弧對應的圓心的直線與所述圓弧或近圓弧的另一端到所述圓心的直線之間的夾角定義為所述圓柱面或近圓柱面的開口角度，所述開口角度A小于180°。

5.一種太赫茲頻段對數周期形亞諧波混頻天線，包括對數周期形天線、第一肖特基二極管、第二肖特基二極管；所述每一個肖特基二極管都包括肖特基接觸電極、歐姆接觸電極、電鍍引線；所述第一肖特基二極管和第二肖特基二極管位于對數周期形天線的射頻饋電端口位置；所述的第一肖特基二極管的肖特基接觸電極通過電鍍引線與所述的第二肖特基二極管的歐姆接觸電極相連，并與對數周期形天線的一極相連；所述的第二肖特基二極管的肖特基接觸電極通過電鍍引線與所述的第一肖特基二極管的歐姆接觸電極相連，并與所述天線的另一極相連；采用半導體工藝制作所述肖特基二極管和對數周期形天線，所述肖特基二極管和對數周期形天線以半絕緣砷化鎵層為襯底。

6.根據權利要求5所述的太赫茲頻段對數周期型亞諧波混頻天線，其特征在；在半絕緣砷化鎵層上形成重摻雜n+型砷化鎵層，在重摻雜n+型砷化鎵層上形成輕摻雜n-型砷化鎵層；重摻雜n+型砷化鎵層的摻雜濃度為10¹⁸量級；輕摻雜n-型砷化鎵層的摻雜濃度為10¹⁶～10¹⁷量級；所摻雜質為硅。