[發(fā)明專利]采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210384637.6
• 申請日: 2012-10-12
• 公開（公告）號(hào): CN102942157A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 薛維佳;席韡;陳晨;王林軍;閔嘉華;史偉民
• 申請（專利權(quán)）人: 上海大學(xué)
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;G01F1/68
• 代理公司: 上海上大專利事務(wù)所(普通合伙) 31205
• 代理人: 何文欣

1.一種采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：制造工藝步驟如下：

1）取一硅襯底（001），該硅襯底（001）上方有覆蓋一層隔離層（100）；采用干法刻蝕法在所述硅襯底中形成用于制作空腔的槽；

2）在所述硅襯底（001）的表面和所述槽（002）的側(cè)壁與底部淀積阻擋層；

3）去除所述硅襯底（001）的表面和所述槽（002）的底部的阻擋層，在所述槽（002）的側(cè)壁形成側(cè)壁保護(hù)層（008）；

4）以所述側(cè)壁保護(hù)層（008）為掩模，繼續(xù)刻蝕所述槽（002），形成深槽（102）；

5）采用濕法腐蝕法腐蝕所述深槽（102），在所述硅襯底（001）的內(nèi)部形成腔體（010）；

6）在所述槽（002）的側(cè)壁保護(hù)層（008）之間填滿隔離和/或填充材料（006），形成插塞結(jié)構(gòu)，將所述腔體（010）與外界隔離；

7）將所述硅襯底（001）的表面平坦化；

8）在所述硅襯底（001）上淀積電熱層；

9）對所述電熱層作圖形化，在所述硅襯底（001）上形成加熱裝置（003）、測溫裝置（004）和電極（020）；

10）在所述硅襯底（001）上淀積保護(hù)層（108），所述保護(hù)層（108）覆蓋所述加熱裝置（003）和所述測溫裝置（004）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟2）中的淀積阻擋層形成制作腔體（010）的槽（002）之前的淀積絕緣層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述硅襯底為（111）晶向的硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟2）中的阻擋層是通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法形成的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟3）中硅襯底的表面和所述槽（002）的底部的阻擋層是通過回刻工藝去除的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟4）中深槽（102）的深度為0.1～10um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟5）中的濕法腐蝕法采用各向異性的腐蝕工藝在所述硅襯底（001）的內(nèi)部形成腔體（010）；所述濕法腐蝕所用的腐蝕溶液為KOH和/或TMAH。

8.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟6）中的填充隔離和/或填充材料是通過化學(xué)氣相淀積法或者原子層淀積法在所述槽（002）的側(cè)壁保護(hù)層（008）之間填充隔離和/或填充材料（006）；所述隔離和/或填充材料（006）為單層或者多層結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟7）中的平坦化工藝包括化學(xué)機(jī)械拋光和/或回刻。

10.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述電熱層為含金屬的材料；所述電熱層為單層的或者多層的結(jié)構(gòu)；所述含金屬的材料為溫阻材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述溫阻材料包括鉑或者金。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的采用正面腐蝕方式制造流量傳感器的方法，其特征在于：所述步驟10）中的保護(hù)層（108）為單層的或者多層的結(jié)構(gòu)。