[發明專利]一種SOI結構壓力傳感器無效
| 申請號： | 201210384004.5 | 申請日： | 2012-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN103728065A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 陜西杰創科技有限公司 |
| 主分類號： | G01L1/22 | 分類號： | G01L1/22;G01L9/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710068 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 soi 結構 壓力傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種SOI結構壓力傳感器，其特征在于，包括單晶硅襯底（4），在單晶硅襯底（4）上有一層氧化硅薄膜（3），在氧化硅薄膜（3）上有一層單晶硅應變電阻層（2），在單晶硅應變電阻層（2）上有兩個電極（1），所述單晶硅襯底（4）為P型單晶硅。
2.根據權利要求1所述的壓力傳感器，其特征在于，所述單晶硅襯底（4）的底部開有窗口（5）。
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