[發(fā)明專利]能提高多孔硅薄膜物理微結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性均勻性的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210383898.6
• 申請(qǐng)日: 2012-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN102874746A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍永福;張晉平;雷立云;胡惟文;曹斌芳;張愛龍;王津;彭元杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湖南文理學(xué)院
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00
• 代理公司: 常德市長(zhǎng)城專利事務(wù)所 43204
• 代理人: 蔡大盛

1.一種能提高多孔硅薄膜物理微結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性均勻性的方法，其特征是：

本發(fā)明通過采用遞減腐蝕電流密度的方法，減少縱向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蝕電流條件下隨腐蝕深度增加導(dǎo)致增加的多孔度或減少折射率，從而使兩者達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，來提高多孔硅薄膜的沿縱向方向上的物理微結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性的均勻性。

2.權(quán)利要求1所述能提高多孔硅薄膜物理微結(jié)構(gòu)及光學(xué)特性均勻性的方法，其特征是，它包括如下步驟：

⑴、使用TekVisa?AFG3101任意波形發(fā)生器和電壓電流變換電路，產(chǎn)生遞減腐蝕電流；

⑵、選擇電阻率為0.007~1Ω.cm的P型硅襯底材料，設(shè)定需要的多孔硅薄膜的多孔度30%~90%及物理厚度0.01~500μm物理量的大小，調(diào)節(jié)電壓電流變換電路，使輸出的遞減腐蝕電流密度為4~150mA/cm²內(nèi)由高逐漸到低對(duì)P型硅襯底材料進(jìn)行腐蝕，腐蝕時(shí)間為10S~130Min；

⑶、制備完畢后，將多孔硅薄膜放入與腐蝕液相同溫度的乙醇溶液中直到室溫，然后使用去離子水沖洗，最后在空氣中干燥；

⑷、檢驗(yàn)合格后即為成品。