[發明專利]一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法

無效

• 申請號: 201210383748.5
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN102915967A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 陳福元;毛建軍;胡煜濤;朱志遠;王錚;任亮;楊希望
• 申請（專利權）人: 杭州杭鑫電子工業有限公司
• 主分類號: H01L21/8222
• 分類號: H01L21/8222
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法，其特性在于包括如下步驟：

1）在N^-/N⁺型硅片的N^-面上氧化、光刻、擴散入P型半導體雜質，形成硅晶體三極管的P⁺型基區（B）和硅晶體二極管的P⁺型正極（+）區；

2）在硅晶體三極管的P⁺型基區（B）上光刻、定域擴散入N⁺型雜質，形成硅晶體三極管的N⁺型發射區（E），同時于硅晶體二極管的P⁺型正極（+）區周圍選擇擴散入N⁺型雜質，形成硅晶體二極管的負極（-）區；

3）在P⁺型雜質擴散區和N⁺型雜質擴散區表面光刻開出引線孔、蒸發鋁金屬、光刻電極內引線并互聯、合金，制成硅晶體二極管三極管的集成芯片。

2.根據權利要求1所述的一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法，其特征在于所述的N^-層硅片的電阻率為30~90Ωcm，?N^-層硅片的厚度為60~100μm。

3.根據權利要求1所述的一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法，其特征在于所述的P型擴散的半導體雜質為硼，擴散溫度為1220℃~1240℃，擴散時間為2~5小時，N型擴散的半導體雜質為磷，擴散溫度為1130℃~1150℃，擴散時間為3~5小時。

4.根據權利要求1所述的一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法，其特征在于所述的硅晶體二極管P⁺型正極（+）區和硅晶體二極管N⁺型負極（-）區的形狀為圓形或四邊形。

5.根據權利要求1所述的一種兼容集成制造硅晶體二極管三極管的方法，其特征在于所述的電極內引線是硅晶體三極管的基極(B)與硅晶體二極管的負極（-）極互聯、硅晶體三極管的發射極(E)與硅晶體二極管的正極（+）極互聯。