[發明專利]一種新型的復合透明導電氧化物薄膜無效
| 申請號: | 201210383674.5 | 申請日: | 2012-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN102881729A | 公開(公告)日: | 2013-01-16 |
| 發明(設計)人: | 王穎;黃躍龍;朱紅兵;尹晶晶;高錦成;馬云祥 | 申請(專利權)人: | 保定天威薄膜光伏有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 石家莊新世紀專利商標事務所有限公司 13100 | 代理人: | 董金國 |
| 地址: | 071051 河北省保定市*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 復合 透明 導電 氧化物 薄膜 | ||
1.一種新型的復合透明導電氧化物薄膜,其特征在于其包括基板(1)、在所述基板(1)上制備的由至少一層氧化鋅薄膜構成的氧化鋅薄膜層(2)以及在所述氧化鋅薄膜層(2)上制備的由至少一層摻雜透明導電氧化物薄膜構成的摻雜透明導電氧化物薄膜層(3)。
2.根據權利要求1所述之新型的復合透明導電氧化物薄膜,其特征在于:所述氧化鋅薄膜層(2)中至少包含一層具有絨面結構的本征氧化鋅薄膜或摻雜氧化鋅薄膜,氧化鋅薄膜層的總厚度在300納米到3微米之間。
3.根據權利要求1所述之新型的復合透明導電氧化物薄膜,其特征在于:氧化鋅薄膜層(2)的制備方法為低壓化學氣相沉積法或者金屬有機物化學氣相沉積法。
4.根據權利要求1所述之新型的復合透明導電氧化物薄膜,其特征在于:所述摻雜透明導電氧化物薄膜層(3)包括摻雜氧化鋅薄膜、摻雜氧化錫薄膜或摻雜氧化銦薄膜中的一種或幾種,摻雜透明導電氧化物薄膜層(3)的總厚度在10納米到1微米之間。
5.根據權利要求1-4所述之新型的復合透明導電氧化物薄膜,其特征在于:作為電極應用于光電器件中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





