[發(fā)明專利]一種制作半導(dǎo)體器件的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210383134.7
• 申請(qǐng)日: 2012-10-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103730418A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;李鳳蓮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/28
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;高偉

1.一種制作半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成P-MOS偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)，N-MOS偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成包圍所述偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層；

在所述層間介質(zhì)層上形成遮蔽所述N-MOS偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)的金屬掩膜層；

混合法刻蝕去除所述P-MOS偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)中的偽柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述偽柵極堆疊結(jié)構(gòu)包括依次層疊的高k介質(zhì)層、阻擋層和所述偽柵極。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述阻擋層材料為氮化鈦。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述偽柵極材料為原位摻雜的多晶硅。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬掩膜層的材料為氮化鈦。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述金屬掩膜層的厚度是10～500埃。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述混合法刻蝕包括先進(jìn)行一干法刻蝕，再進(jìn)行一濕法刻蝕。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，其中干法刻蝕去除70-90%的偽柵極，然后濕法刻蝕去除剩余的偽柵極，形成P-MOS柵極溝槽。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕溶液為熱磷酸。

10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，在進(jìn)行所述濕法刻蝕之前還包括除去所述金屬掩膜層的步驟。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，使用SC1溶液去除所述金屬掩膜層。

12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，在所述P-MOS柵極溝槽內(nèi)填充壓應(yīng)力的金屬材料，然后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，使用干法刻蝕去除所述N-MOS偽柵極，形成N-MOS柵極溝槽。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，在所述N-MOS柵極溝槽中填充拉伸應(yīng)力的金屬材料。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，先干法刻蝕去除所述N-MOS偽柵極，接著混合法去除所述P-MOS偽柵極。