[發(fā)明專利]太赫茲準光混頻器

有效

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• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN102946256A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 胡延安
• 申請（專利權）人: 胡延安
• 主分類號: H04B1/00
• 分類號: H04B1/00;H03D9/06
• 代理公司: 北京思睿峰知識產權代理有限公司 11396
• 代理人: 龔海軍

1.一種太赫茲準光混頻器，包括混頻天線、高阻介質透鏡、中頻電路以及背面短路器，太赫茲頻段本振信號由高阻介質透鏡耦合到混頻天線上以提供超外差混頻的太赫茲頻段本振信號，待檢測信號也通過高阻介質透鏡耦合至混頻天線上；耦合到混頻天線上的待檢測信號以及本振信號通過混頻天線混頻后產生中頻信號，中頻信號由中頻電路濾波和放大后輸出；位于混頻天線背瓣方向的背面短路器沿混頻天線法線方向移動，改變與混頻天線的距離。

2.根據權利要求1所述的太赫茲準光混頻器，其特征在于：所述準光混頻器中的混頻天線包括平面天線、二極管以及中頻引線，混頻天線中的二極管位于平面的射頻饋電端口處并且分別與平面天線的兩極相連，耦合到混頻天線上的待檢測信號以及本振信號通過混頻天線上的二極管混頻后產生中頻信號，中頻信號由中頻引線引出。

3.根據權利要求2所述的太赫茲準光混頻器，其特征在于：混頻天線中的二極管為肖特基二極管。

4.根據權利要求3所述的太赫茲準光混頻器，其特征在于：

混頻天線(1)采用半導體工藝制作，混頻天線(1)的平面天線(11)與肖特基二極管使用同一半絕緣砷化鎵襯底(111)，在半絕緣砷化鎵襯底(111)上形成高摻雜濃度砷化鎵層(112)；

肖特基二極管(12)包括低濃度摻雜砷化鎵層(113)、第一歐姆接觸電極(122)、第二歐姆接觸電極(123)、二氧化硅層(114)、肖特基陽極延伸壓點(124)、歐姆接觸陰極壓點(125)、肖特基接觸陽極(121)、懸空電鍍橋(126)和溝道(128)；低濃度摻雜砷化鎵層(113)和第一歐姆接觸電極(122)分別形成在高摻雜濃度砷化鎵層(112)上；歐姆接觸陰極壓點(125)形成在第一歐姆接觸陰極(122)上；第二歐姆接觸電極(123)形成在高摻雜濃度砷化鎵層112上，肖特基陽極延伸壓點(124)形成在第二歐姆接觸電極(123)上；低濃度摻雜砷化鎵層(113)位于第一歐姆接觸電極(122)和第二歐姆接觸電極(123)之間；二氧化硅層(114)形成在低濃度摻雜砷化鎵層(113)上，在二氧化硅層(114)開有小孔，肖特基接觸陽極(121)位于小孔中，肖特基接觸陽極(121)與低濃度摻雜砷化鎵層(113)接觸形成肖特基結；懸空電鍍橋(126)形成在二氧化硅層(114)和肖特基接觸陽極(121)上；肖特基接觸陽極延伸壓點(124)通過懸空電鍍橋(126)與肖特基接觸陽極(121)相連；溝道(128)形成在高濃度摻雜砷化鎵層(112)、低濃度摻雜砷化鎵層(113)和二氧化硅層(114)中，溝道(128)中的高濃度摻雜砷化鎵層(112)、低濃度摻雜砷化鎵層(113)和二氧化硅層(114)被除去；

平面天線(11)包括第三歐姆接觸電極(132)、第四歐姆接觸電極(134)、第一天線壓點(131)和第二天線壓點(133)；第三歐姆接觸電極(132)形成在高摻雜濃度砷化鎵層(112)上，第一天線壓點(131)形成在第三歐姆接觸電極(132)上；第四歐姆接觸電極(134)形成在高摻雜濃度砷化鎵層(112)上，第二天線壓點(133)形成在第四歐姆接觸電極(134)上；第一天線壓點(131)與肖特基接觸陽極延伸壓點(124)連接，第二天線壓點(133)與歐姆接觸陰極壓點(125)連接；

中頻引線13由第五歐姆接觸電極(142)、第六歐姆接觸電極(144)、第一引線壓點(141)和第二引線壓點(143)組成；第五歐姆接觸電極(142)形成在高摻雜濃度砷化鎵層(112)上，第一引線壓點(141)形成在第五歐姆接觸電極(142)上；第六歐姆接觸電極(144)形成在高摻雜濃度砷化鎵層(112)上，第二引線壓點(143)形成在第六歐姆接觸電極(144)；第一引線壓點(141)與第一天線壓點(131)連接，第二引線壓點(143)與第二天線壓點(133)連接。

5.根據權利要求4所述的太赫茲準光混頻器，其特征在于：

肖特基接觸陽極延伸壓點(124)、歐姆接觸陰極壓點(125)、第一天線壓點(131)、第二天線壓點(133)、第一引線壓點(141)以及第二引線壓點(143)的厚度相同，肖特基接觸陽極延伸壓點(124)、歐姆接觸陰極壓點(125)、第一天線壓點(131)、第二天線壓點(133)、第一引線壓點(141)以及第二引線壓點(143)的上平面在同一平面。