[發明專利]在制造半導體器件過程中去除殘留物的方法

在審

• 申請號: 201210382915.4
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103390540A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 巫俊昌;陳俊璋;吳權陵;莫忘本;謝弘璋
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在半導體襯底上形成第一光刻膠部件和第二光刻膠部件；

在所述半導體襯底上施加化學材料涂層，其中，所述化學材料涂層介入第一光刻膠部件和第二光刻膠部件之間；以及

清洗所述半導體襯底，其中，清洗去除了所述半導體襯底上的所述化學材料涂層。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述化學材料涂層是頂部抗反射涂層材料(TARC)。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在清洗所述半導體襯底后旋轉干燥所述半導體襯底。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，施加所述化學材料涂層包括將將所述涂層施加至具有感光材料殘留物的區域。

5.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

在襯底上形成感光材料層；

將所述感光材料層曝光成圖案；

顯影所述感光材料層，其中，所述顯影提供間隔介于其間的第一部件和第二部件；以及

在顯影的感光材料層上形成涂層，其中，所述涂層包括頂部抗反射涂層(TARC)。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，顯影后所述感光材料層的殘留物設置在所述間隔中。

7.根據權利要求5所述的方法，進一步包括：

在形成所述涂層后清洗所述襯底。

8.一種方法，包括：

在襯底上形成感光材料層；

將所述感光材料層曝光成圖案；

顯影曝光的感光材料層，其中，顯影提供間隔介于其間的第一部件和第二部件，所述間隔由圖案限定，而且感光材料的殘留物形成在所述間隔中；

在顯影的感光材料層上形成涂層，其中，所述涂層包括抗反射涂層，其中，所述涂層形成在所述殘留物上；

混合所述殘留物和涂層材料；以及

使用清洗工藝去除所述涂層材料和所述殘留物。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在所述清洗工藝之后干燥所述襯底；以及

在干燥工藝之后烘烤所述襯底。

10.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

在形成感光材料之前在所述襯底上形成底部抗反射涂層(BARC)。