[發明專利]一種短溝道有機薄膜晶體管的制備方法

無效

• 申請號: 201210382861.1
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN102881828A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 唐偉;馮林潤;徐小麗;陳蘇杰;郭小軍
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 祖志翔

1.一種短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，該有機薄膜晶體管為底柵底接觸型結構，其自下而上依次包括襯底、柵極、介質層、自組裝單分子層、源極、漏極以及有機半導體層，該源極與漏極之間的溝道的長度不超過5微米，其特征在于：所述制備方法的各工藝步驟全部采用包括溶液涂布方法和印刷方法的溶液法，其具體步驟如下：

1)在襯底上制備柵極；

2)在襯底和柵極上制備介質層；

3)在介質層上表面生長疏水性自組裝單分子層；

4)采用紫外光垂直通過光掩膜照射疏水性自組裝單分子層，除去源極和漏極區域的疏水性自組裝單分子層并在該區域生長親水性自組裝單分子層；

5)在介質層的親水區域上形成漏極和柵極；

6)在源極、漏極以及溝道之上制備有機半導體層。

2.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述步驟4)中，紫外光的波長短于350nm。

3.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述步驟5)中，用于制備源極和漏極的電極溶液自發選擇性地附著到親水性自組裝單分子層上，然后經退火固化形成源極和漏極及其之間的溝道。

4.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述源極和漏極的線寬都不超過5微米。

5.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述柵極的材料是金屬或者導電有機聚合物。

6.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述介質層為單層材料或者多層材料的組合，該材料為有機聚合物或者無機氧化物。

7.根據權利要求1所述的短溝道有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：所述有機半導體層的材料為有機聚合物半導體、有機小分子半導體、石墨烯或者碳納米管。