[發明專利]圖案化層狀材料與形成轉印模的方法

無效

• 申請號: 201210382854.1
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103324026A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 楊錦添;李明家;鄭宗達
• 申請（專利權）人: 財團法人工業技術研究院
• 主分類號: G03F1/56
• 分類號: G03F1/56;G03F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

【技術領域】

本發明涉及圖案化層狀材料的方法，更特別涉及聚焦的激光光束及其搭配的光致抗蝕劑層材料。

【背景技術】

由于表面結構納米化技術有許多應用，如抗反射膜、生物晶片所需的微流道與納米孔洞、染料敏化太陽能電池、與光子晶體，制作具有納米結構的表面技術具有巨大商機。所以，近年來有一種以濺鍍制程(Sputtering?Process)成膜的相變激光光束直寫制程(Phase?Transition?Mastering;PTM)的技術，應用于碟片母模與納米圖案化模具的制作。

此制程先提供基板，再用高真空濺鍍系統將相變金屬或氧化物靶材材料以濺鍍成膜的方式濺鍍于基板上，此類型的無機阻劑材料大部分利用控制合金薄膜的結晶態與非晶態間的相變，來達成激光光束直寫制程，其中上述濺鍍型阻劑一般為硫屬化合物材料(Chalcogenide?Materials)或由反應濺鍍所形成的金屬氧化物。之后，利用激光光束對上述材料層進行曝寫。然后，需要另外利用特殊的濕式蝕刻液來將經熱化學反應所生成的區域予以保留或去除，亦即進行顯影，以形成圖案。隨后，在圖案上電鍍鎳，最后分開上述鎳層與基板上的圖案。

然而，此濺鍍型相變激光光束直寫技術所采用的相變金屬阻劑膜層需高成本與復雜的真空濺鍍鍍膜系統鍍制阻劑，設備成本比傳統光致抗蝕劑旋轉涂布成膜制程高出很多，且蝕刻液特殊。另外，相變金屬阻劑膜層反射率過高，且無法適用于傳統激光光束刻版機的聚焦伺服系統，因而若欲采用濺鍍型相變激光光束直寫技術所采用的相變金屬阻劑膜層，則需重新購置全新的制程設備。

【發明內容】

本發明一實施例提供一種圖案化層狀材料的方法，包括：提供層狀材料；形成光致抗蝕劑層于該層狀材料上；以激光光束圖案化光致抗蝕劑層，露出部分的層狀材料；以及蝕刻露出的部分的層狀材料，以圖案化層狀材料；其中光致抗蝕劑層具有化學式如式1、式2、式3、式4、式5、式6、或式7：

(式1)其中每一A環各自獨立，選自取代或未取代的環烷基；R¹選自CH₂、氧、或SO₂；每一R²各自獨立，選自氫、偶氮基、或取代或未取代的聚次甲基(polymethine)；每一X¹各自獨立，選自氧、CH₂、烷基、或N-R³，其中R³選自氫、取代或未取代的C_1-18烷基、取代或未取代的C_1-18烷氧基、取代或未取代的C_1-18羧基、取代或未取代的C_1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金剛烷基、金剛烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基；每一X²各自獨立，選自氧或C(CN)₂；以及每一X³各自獨立，選自氧負離子、羥基、或C(CN)₂；

(式2)

(式3)

其中每一B環各自獨立，選自取代或未取代的芳香基、取代或未取代的雜芳基、或取代或未取代的含有芳香基的稠環；每一R⁴各自獨立，選自氫、C=S、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳香基、取代或未取代的芳烷基、或取代或未取代的雜環基；每一X⁴各自獨立，選自氧、取代或未取代的烷基、或N-R⁵，其中R⁵選自氫、取代或未取代的C_1-18烷基、取代或未取代的C_1-18烷氧基、取代或未取代的C_1-18羧基、取代或未取代的C_1-18烷基酯基、取代或未取代的芳香基酯基、金剛烷基、金剛烷基羰基、或取代或未取代的芳烷基；每一X⁵各自獨立，選自氧、C(CN)₂、或C=O；以及M選自Fe、Co、Cu、Ni、或Zn；

(式4)