[發明專利]CdTe@SiO2量子點表面單胺類神經遞質分子印跡聚合物的制備方法

無效

• 申請號: 201210382810.9
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103012800A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 胡琴;魏芳弟;吳燕子;李瑞;劉利萍;周萍;蔡政;楊靜
• 申請（專利權）人: 南京醫科大學
• 主分類號: C08G77/26
• 分類號: C08G77/26;C08G77/06;C08G77/02;C08J9/26
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 曹翠珍

1.??CdTe/SiO₂量子點表面單胺類神經遞質分子印跡聚合物的制備方法，步驟如下：

（1）CdTeSiO₂量子點的制備：

稱取碲粉、NaBH₄于反應容器中，在氮氣氛圍下，注入新煮沸放冷的蒸餾水，攪拌，反應，得到淡粉色NaHTe溶液，備用；

在另一反應容器中加入蒸餾水，然后依次加入?Cd²⁺母液、巰基丙酸，調節pH?9.0-10.0，加熱至90~100℃時，將NaHTe溶液導入，反應液總體積控制在75~300?mL，攪拌混合均勻，緩慢注入正硅酸四乙酯，在氮氣的保護下于90~100℃回流反應4~8?h，將所得反應液旋轉蒸發至水揮發完畢，用無水乙醇洗去未反應的物質，得到CdTeSiO₂量子點，粒徑10~20?nm；?

（2）CdTeSiO₂MIPs的制備：

將步驟（1）制備得到的CdTeSiO₂量子點加入到25~60?mL致孔劑中，超聲分散均勻，通氮除氧；

加入模板分子，攪拌，待模板分子全部溶解后依次加入功能單體和交聯劑，使用氨水催化，在氮氣保護下，攪拌反應16~24?h；將反應液離心，棄去上清；所得固體先用致孔劑洗滌，然后用二次水洗滌至無模板分子殘留，得到CdTeSiO₂MIPs。

2.根據權利要求1所述的CdTe/SiO₂量子點表面單胺類神經遞質分子印跡聚合物的制備方法，其特征在于，步驟（1）所述Cd²⁺母液的濃度為0.25?mol·L^-1?，反應體系中Cd^2＋濃度為5×10^-3?mol·L^-1；Cd^2＋、NaHTe、巰基丙酸、正硅酸四乙酯的摩爾比是1:?0.3~0.8:?4.8:?10。

3.??根據權利要求1所述的CdTe/SiO₂量子點表面單胺類神經遞質分子印跡聚合物的制備方法，其特征在于，步驟（2）致孔劑為無水乙醇與水1~4:?1體積比的混合物；所述模板分子的濃度為0.02~0.08?mol·L^-1；模板分子、功能單體、交聯劑的摩爾比為1:?2~6:?4~10；所述模板分子為單胺類神經遞質L-去甲腎上腺素、L-腎上腺素、5-羥色胺、多巴胺中的任一種。

4.?根據權利要求1所述的CdTe/SiO₂量子點表面單胺類神經遞質分子印跡聚合物的制備方法，其特征在于，步驟（2）功能單體為氨丙基三乙氧基硅烷，交聯劑為正硅酸四乙酯。