[發明專利]一種超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法

有效

• 申請號: 201210382798.1
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103706539A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 沈凱;陳琢;任宇航
• 申請（專利權）人: 浙江尚頡光電科技有限公司
• 主分類號: B05D1/02
• 分類號: B05D1/02;B05D1/36;H01L31/032
• 代理公司: 北京市盛峰律師事務所 11337
• 代理人: 趙建剛

1.一種超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，包括：

S11，配置CsI溶液，所述CsI溶液的濃度為5wt％至50wt％；

S12，配置SnCl₂溶液，所述SnCl₂溶液的濃度為10wt％至80wt％；

S13，利用超聲噴印系統將所述CsI溶液噴印到基底上；

S14，利用超聲噴印系統將所述SnCl₂溶液噴印到所述基底上；

S15，加熱所述基底至干燥，在所述基底上形成三碘化銫錫薄膜。

2.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，配置所述CsI溶液的具體方法為：將純度為99.9％的CsI粉末溶解在無機溶劑中。

3.根據權利要求2所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述的無機溶劑主要為水、去離子水、蒸餾水中或其任意混合物。

4.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，配置所述SnCl₂溶液的具體方法為：將純度為99.9％的SnCl₂粉末溶解在有機溶劑中。

5.根據權利要求4所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述的有機溶劑主要為無水乙醇、無水甲醇、無水異丙基、冰醋酸、乙二醇、三甘醇或其任意混合物。

6.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述CsI溶液的噴涂方法具體為：通過超聲噴印系統將所述CsI溶液生成霧化液體吸附在所述基片上。

7.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述SnCl₂溶液的噴涂方法具體為：通過超聲噴印系統將所述SnCl₂溶液生成霧化液體吸附在所述基片上。

8.根據權利要求6或7所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述超聲噴印系統噴印所述CsI溶液和所述SnCl₂溶液的時間為5S～15S之間。

9.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，所述超聲噴印系統將所述CsI溶液和所述SnCl₂溶液噴印在所述基片上后發生如下化學反應：

3CsI+SnCl₂→CsSnI₃+2CsCl；

10.根據權利要求1所述的超聲噴印法制備三碘化銫錫薄膜的方法，其特征在于，加熱所述基底的溫度為250℃。