[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210382782.0
• 申請(qǐng)日: 2012-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN103050428B
• 公開（公告）日: 2018-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田中陽子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 朱立鳴

拾取系統(tǒng)的保持平臺(tái)(10)包括第一平臺(tái)(11)、支承第一平臺(tái)(11)的第二平臺(tái)(12)和排空管路(13)，半導(dǎo)體芯片(1a)在粘附板(2)介于第一平臺(tái)和半導(dǎo)體芯片之間的狀態(tài)下安裝于第一平臺(tái)上。第一平臺(tái)(11)設(shè)有多個(gè)槽(21)、凸起部(22)和連接到槽(21)的氣孔(14)，每個(gè)凸起部由相鄰槽(21)的側(cè)壁來形成。在拾取系統(tǒng)中，半導(dǎo)體芯片(1a)安裝于第一平臺(tái)(11)上，以使半導(dǎo)體芯片(1a)的整個(gè)端部不定位在一個(gè)槽(21)上。然后，由粘附板(2)和第一平臺(tái)(11)和第二平臺(tái)(12)圍繞的閉合空間(23)被排空，以使半導(dǎo)體芯片(1a)保持在凸起部(22)上。此后，通過夾頭來拾取半導(dǎo)體芯片(1a)。這提供半導(dǎo)體裝置制造方法和半導(dǎo)體裝置制造系統(tǒng)，它們都能使半導(dǎo)體芯片(1a)從粘附板(2)移除，并以高品質(zhì)狀態(tài)來拾取該半導(dǎo)體芯片。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法和半導(dǎo)體裝置的制造系統(tǒng)。

背景技術(shù)

近年來，對(duì)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）的半導(dǎo)體晶片的厚度盡心減小，以加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本。例如，為了加強(qiáng)IGBT的性能并減少IGBT的成本，有必要使半導(dǎo)體晶片的厚度減薄到50微米到100微米或更小的數(shù)量級(jí)上。

對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工直至半導(dǎo)體晶片的厚度減小到規(guī)定厚度之前，大量裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上。隨后，對(duì)于形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上的每個(gè)裝置結(jié)構(gòu)實(shí)施切割，以將半導(dǎo)體晶片切斷以分開成各具有裝置結(jié)構(gòu)的單個(gè)半導(dǎo)體芯片。

對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的另一制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上之后，在半導(dǎo)體晶片的頂面的切割線上形成凹槽，每個(gè)凹槽的深度大于例如完成后半導(dǎo)體裝置的規(guī)定厚度。然后，實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工，直至半導(dǎo)體晶片的厚度減小到規(guī)定厚度，通過這種加工，形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上的凹槽使半導(dǎo)體晶片分開成單個(gè)半導(dǎo)體芯片。

對(duì)于裝置厚度減小的半導(dǎo)體裝置的又一制造方法，提出如下一種制造方法。根據(jù)該方法，在裝置結(jié)構(gòu)形成于半導(dǎo)體晶片的頂面上之后，實(shí)施諸如半導(dǎo)體晶片的底面的背面磨削或硅蝕刻之類的加工，以僅使半導(dǎo)體晶片的中間部分中直徑小于半導(dǎo)體晶片直徑的范圍內(nèi)變薄，以留出未加工的半導(dǎo)體晶片的外周部（下文被稱為肋部）。然后，在肋部未被加工的情況下或者在去除肋部之后實(shí)施對(duì)半導(dǎo)體晶片的切割，以將半導(dǎo)體晶片分開成單個(gè)半導(dǎo)體芯片。

在這樣切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，為了避免通過切割而分開的半導(dǎo)體芯片會(huì)散開的問題，公知一種方法：借助諸如切割板的粘附板來實(shí)施切割，該粘附板粘著到例如半導(dǎo)體晶片的底面上。在借助粘著到半導(dǎo)體晶片的底面上的粘附板來實(shí)施切割之后，將粘著到粘附板以與其固定的半導(dǎo)體芯片供給到拾取系統(tǒng)，用于將半導(dǎo)體芯片從粘附板拾取以分開成單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片。

對(duì)于從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片的方法，提出如下一種方法。根據(jù)該方法，通過諸如針的工具例如從粘著有粘附板的底面?zhèn)认蛏贤泼總€(gè)半導(dǎo)體芯片，以減小半導(dǎo)體芯片與粘附板的接觸面積。然后，通過諸如夾頭的工具，將吸力施加于被針向上推的半導(dǎo)體芯片，以從粘附板拾取半導(dǎo)體芯片。然而，當(dāng)這種拾取方法應(yīng)用于薄型半導(dǎo)體芯片時(shí)，上推半導(dǎo)體芯片的針可能造成半導(dǎo)體芯片的底面上的裂紋或半導(dǎo)體芯片的破損。

為了解決這個(gè)問題，作為在不用針來推動(dòng)的情況下減小半導(dǎo)體芯片和粘附板之間的接觸面積的方法，提出如下方法。根據(jù)該方法，采用包括夾具基座和粘附層的固定夾具。該夾具基座在一側(cè)具有側(cè)壁以及多個(gè)凸起部。粘附層層疊在具有凸起部的夾具基座的表面上，并連結(jié)于側(cè)壁的頂面。在具有凸起部的夾具基座表面上，由粘附層、凸起部和側(cè)壁構(gòu)成分區(qū)空間。每個(gè)分區(qū)空間通過通孔連接到真空源。通過通孔，吸力施加于每個(gè)分區(qū)空間內(nèi)的空氣，以使粘附層變形。并且，夾頭從芯片的頂面?zhèn)葘⑽κ┘佑谛酒詮恼掣綄邮叭⌒酒▍⒁娎鏙P-A-2008-103493）。