[發明專利]鈷肖特基二極管的制備方法

有效

• 申請號: 201210382740.7
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103730353B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 董科;馬棟
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/329
• 分類號: H01L21/329
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種鈷肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、在硅襯底中形成深N阱；

步驟二、采用濕法刻蝕工藝去除所述硅襯底表面的自然氧化層從而使所述深N阱表面露出；

步驟三、在濕法刻蝕工藝之后以及保證所述硅襯底表面未形成新的自然氧化層之前，采用濺射工藝在所述硅襯底表面濺射金屬鈷；

步驟四、采用光刻刻蝕工藝將鈷肖特基二極管的陽極區域外的所述金屬鈷去除，所述鈷肖特基二極管的陽極區域內的所述金屬鈷保留；

步驟五、進行退火工藝，使所述鈷肖特基二極管的陽極區域內的所述金屬鈷和所述深N阱中的硅進行反應形成鈷硅化物，所述鈷硅化物和所述深N阱之間形成金半接觸。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟三中在濕法刻蝕工藝之后的4小時以內進行所述濺射工藝。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟一中形成所述深N阱之后包括在所述硅襯底中形成淺溝槽隔離結構，在所述鈷肖特基二極管的陰極區域的所述深N阱中形成N阱以及在該N阱中形成N+區的步驟，該N+區用于和所述鈷肖特基二極管的陰極金屬形成歐姆接觸。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：步驟五中所述鈷硅化物的頂部引出所述鈷肖特基二極管的陽極。