[發明專利]一種具有較窄劃片槽的晶圓有效
| 申請號: | 201210382734.1 | 申請日: | 2012-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN102931186A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 王釗 | 申請(專利權)人: | 無錫中星微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/544 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫市新*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 劃片 | ||
1.一種晶圓,其特征在于,其包括復數個晶片區域、復數個測試器件區域和間隔于每兩個區域之間的劃片槽,
其中每個測試器件區域占用M個等效晶片面積,M為大于等于1的自然數,
所述劃片槽的寬度由機器劃片控制精度決定。
2.根據權利要求1所述的晶圓,其特征在于,所述劃片槽的寬度小于等于40微米。
3.根據權利要求1或者2所述的晶圓,其特征在于,所述劃片槽設置有與晶片外圈邊緣的靜電放電環相同的結構。
4.根據權利要求3所述的晶圓,其特征在于,所述劃片槽包括有第一金屬層、位于第一金屬層上方的第二金屬層和位于第一金屬層和第二金屬層之間的通孔。
5.根據權利要求1所述的晶圓,其特征在于,所述劃片槽中不設置測試器件。
6.根據權利要求1所述的晶圓,其特征在于,所述測試器件區域的數目少于晶片區域的數目。
7.根據權利要求1所述的晶圓,其特征在于,每個測試器件區域的周邊都是晶片區域,其負責對其周邊多個晶片區域內的晶片進行測試,相鄰兩個測試器件區域之間間隔有多個晶片區域。
8.根據權利要求1所述的晶圓,其特征在于,這些晶片區域排布成多個平行的行和多個平行的列,每個測試器件區域對應一行或多行,一列或多列晶片區域。
9.根據權利要求2所述的晶圓,其特征在于,所述晶片區域中設置的晶片的邊長小于1000微米。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





