[發明專利]一種磁記錄薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201210382689.X
• 申請日: 2012-10-11
• 公開（公告）號: CN102864424A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發明（設計）人: 劉立旺;黨紅剛;盛偉;曹江偉;白建民;王穎;魏福林
• 申請（專利權）人: 蘭州大學
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/58;C23C14/06
• 代理公司: 蘭州振華專利代理有限責任公司 62102
• 代理人: 張晉

1.一種磁記錄薄膜的制備方法，其特征在于首先將其表面有一層氧化硅的基片經清潔處理，然后用真空共濺射方式在基片表面共濺射生長出一層FePt-MgO薄膜，其中：薄膜中Fe原子和Pt原子的比例為31：69-51：49，MgO與薄膜的體積比為5%-40%；濺射Fe為直流濺射方式，濺射Pt和MgO為交流濺射方式，然后再將薄膜在真空條件下進行退火處理。

2.權利要求1所述的一種磁記錄薄膜的制備方法，其特征在于薄膜中Fe原子和Pt原子的比例為47：53，MgO與薄膜的體積比為20%；退火溫度為700℃。

3.權利要求1或2所述的一種磁記錄薄膜的制備方法，其特征在于濺射腔室的真空度小于1.7X10^-7?Torr后開始濺射制備薄膜，濺射氣壓為5?mTorr，分別起輝Fe靶、Pt靶和MgO靶，并通過調整Fe靶和Pt靶的濺射功率，控制薄膜中Fe原子和Pt原子的比例，氧化鎂的含量也是通過控制濺射速率來控制，濺射功率范圍為35w-240?W；制備好的FePt-MgO薄膜在真空退火爐中退火，爐中真空度小于1X10^-3?Torr，退火溫度為700?^oC，升溫方式為先從室溫升至50?^oC,然后在50?^oC保溫5?分鐘，其后升溫速率為50?^oC/min,退火時間為60分鐘，加熱結束后把真空退火爐的溫度設為0?^oC，等到爐腔內溫度降到低于55?^oC后，取出薄膜。

4.權利要求3所述的小晶粒尺寸和垂直取向的L1₀相FePt-MgO磁記錄薄膜的制備方法，其特征在于MgO的濺射功率為95?W。