[發明專利]聚合物表面納米線陣列及其制備方法有效
| 申請號： | 201210382459.3 | 申請日： | 2012-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN102887477A | 公開（公告）日： | 2013-01-23 |
| 發明（設計）人： | 陳延峰;葛海雄;袁長勝;盧明輝 | 申請（專利權）人： | 無錫英普林納米科技有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/04 | 分類號： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 214192 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚合物 表面 納米 陣列 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.?聚合物表面納米線陣列，其特征是，包括聚合物平板和位于聚合物平板表面的聚合物納米線，所述聚合物納米線垂直或者傾斜于聚合物平板；所述的聚合物為可熱熔加工或者可溶劑溶解的聚合物材料。
2.一種制備如權利要求1所述聚合物表面納米線陣列的方法，其特征是包括以下步驟：
（1）將聚合物襯底表面進行適當的處理；
（2）將石英微針陣列壓入聚合物襯底的表面；
（3）將石英微針陣列與聚合物表面垂直分離一定距離并平移一定距離保持一定時間；
（4）將石英微針陣列與聚合物表面徹底分離，即得聚合物表面納米線陣列。
3.根據權利要求2所述的聚合物表面納米線陣列的制備方法，其特征是，步驟（1）中在所述的適當的處理方法為：熱熔、溶劑溶解，或以上方法任意組合。
4.根據權利要求2或3所述的聚合物表面納米線陣列的制備方法，其特征是，所述納米線的長度為10微米到10厘米。
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