[發明專利]蝕刻方法及蝕刻裝置有效
| 申請號： | 201210382207.0 | 申請日： | 2012-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN103046049A | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 秋山政憲;松尾達彥 | 申請（專利權）人： | 開美科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C23F1/08 | 分類號： | C23F1/08;H05K3/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 方法 裝置 | ||
1.一種蝕刻方法，其特征在于，
具備以下工序：
第1蝕刻工序，將蝕刻液從一流體噴嘴噴射而將蝕刻液噴附于蝕刻對象物的蝕刻對象面，從而將上述蝕刻對象面蝕刻；以及
第2蝕刻工序，將蝕刻液與氣體混合后從二流體噴嘴噴射而將蝕刻液噴附于在上述第1蝕刻工序中被蝕刻后的上述蝕刻對象面，從而將上述蝕刻對象面進一步蝕刻；
在上述第2蝕刻工序中，將與上述第1蝕刻工序相比液滴微小的蝕刻液以比上述第1蝕刻工序強的沖擊力噴附于上述蝕刻對象面。
2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，
上述蝕刻對象面是上述蝕刻對象物的上表面；
上述第1蝕刻工序包括將從上述一流體噴嘴噴附于上述蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去的第1吸引工序；
上述第2蝕刻工序包括將從上述二流體噴嘴噴附于上述蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去的第2吸引工序。
3.如權利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于，
從上述二流體噴嘴向上述蝕刻對象面的蝕刻液的噴附量相對于從上述一流體噴嘴及上述二流體噴嘴向上述蝕刻對象面的蝕刻液的總噴附量的比例是2%以上50%以下。
4.一種蝕刻裝置，其特征在于，
具備：
輸送機構，沿著依次通過第1蝕刻處理部和第2蝕刻處理部的規定的輸送路徑輸送蝕刻對象物；
一流體噴嘴，配置于上述第1蝕刻處理部，將蝕刻液噴射而使其噴附于由上述輸送機構輸送的蝕刻對象物的蝕刻對象面；以及
二流體噴嘴，配置于上述第2蝕刻處理部，將蝕刻液與氣體混合噴射而使其噴附于由上述輸送機構從上述第1蝕刻處理部輸送的蝕刻對象物的上述蝕刻對象面；
上述二流體噴嘴將與上述一流體噴嘴相比液滴微小的蝕刻液以比上述一流體噴嘴強的沖擊力噴附于上述蝕刻對象面。
5.如權利要求4所述的蝕刻裝置，其特征在于，
具備對上述第1蝕刻處理部和上述第2蝕刻處理部雙方所配置的吸引機構；
上述輸送機構以上述蝕刻對象面朝向上方的狀態將上述蝕刻對象物沿大致水平方向輸送；
上述吸引機構將從上述一流體噴嘴和上述二流體噴嘴分別噴附于上述蝕刻對象面的蝕刻液吸引并除去。
6.如權利要求5所述的蝕刻裝置，其特征在于，
從上述二流體噴嘴向上述蝕刻對象面的蝕刻液的噴附量相對于從上述一流體噴嘴及上述二流體噴嘴向上述蝕刻對象面的蝕刻液的總噴附量的比例是2%以上50%以下。
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