[發明專利]太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 201210381952.3
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN102856328A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 陳芃;梁碩瑋
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/142
• 分類號: H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張艷杰;張浴月

1.一種太陽能電池，包括：

一半導體基底，具有一第一表面與一第二表面，其中該半導體基底具有一第一摻雜類型，該第二表面具有一第一區與一第二區；

一摻雜層，位于該半導體基底的該第一表面，其具有該第一摻雜類型；

一摻雜多晶硅層，設置于該半導體基底的該第二表面的該第一區上，且暴露出該半導體基底的該第二表面的該第二區；

一摻雜區，設置于該半導體基底的該第二表面的該第二區中，其中該摻雜多晶硅層與該摻雜區其中一者具有一第二摻雜類型，而該摻雜多晶硅層與該摻雜區其中另一者具有該第一摻雜類型，且該第二摻雜類型相反于該第一摻雜類型；

一絕緣層覆蓋該摻雜多晶硅層與該摻雜區表面，并具有至少一第一開口暴露出部分該摻雜多晶硅層與至少一第二開口暴露出部分該摻雜區；

至少一第一電極，設置于該絕緣層表面，并經由該第一開口連接于該摻雜多晶硅層；以及

至少一第二電極，設置于該絕緣層表面，并經由該第二開口連接于該摻雜區。

2.如權利要求1所述的太陽能電池，其中該絕緣層包括：

一第一絕緣層，設置于該摻雜多晶硅層表面上，并具有一第一次開口，以暴露出部分該摻雜多晶硅層與一第二次開口以暴露出部分該摻雜區；以及

一第二絕緣層，覆蓋該第一絕緣層與該摻雜區，并具有一第三次開口對應于該第一次開口，以暴露出部分該摻雜多晶硅層與一第四次開口對應于該第二次開口，以暴露出部分該摻雜區；

其中該第一絕緣層與該第二絕緣層所包含的材料不相同，該第一次開口與該第二次開口構成該第一開口，且該第三次開口與該第四次開口構成該第二開口。

3.如權利要求2所述的太陽能電池，其中該第一絕緣層包含固定氧化電荷的極性相反于該第二絕緣層包含固定氧化電荷的極性。

4.如權利要求3所述的太陽能電池，其中當該摻雜區具有該第一摻雜類型且該摻雜多晶硅層具有該第二摻雜類型時，該第一絕緣層所具有的固定氧化電荷的極性相反于該第二摻雜類型的極性，而該第二絕緣層所具有的固定氧化電荷的極性相反于該第一摻雜類型。

5.如權利要求3所述的太陽能電池，其中當該摻雜多晶硅層具有該第一摻雜類型且該摻雜區具有該第二摻雜類型時，該第一絕緣層所具有的固定氧化電荷的極性相反于該第一摻雜類型的極性，而該第二絕緣層所具有的固定氧化電荷的極性相反于該第二摻雜類型。

6.如權利要求2所述的太陽能電池，其還包括一非晶硅層，設置于該第一絕緣層與該第二絕緣層之間、該摻雜多晶硅層的側邊與該第二絕緣層之間以及該摻雜區與該半導體基底之間。

7.如權利要求1所述的太陽能電池，其中該半導體基底的該第二表面的該第二區中還包含至少一凹槽，且該摻雜區設置于該凹槽中。

8.如權利要求7所述的太陽能電池，其還包括一非晶硅層，設置于該摻雜多晶硅層與該絕緣層之間以及該摻雜區與該半導體基底之間。

9.如權利要求1所述的太陽能電池，還包括一氧化層層，設置于該半導體基底的該第二表面的該第二區與該摻雜多晶硅層之間。

10.如權利要求1所述的太陽能電池，還包括一抗反射層設于該摻雜層的表面上。