[發明專利]刷新方法和使用刷新方法的半導體存儲器件

有效

• 申請號: 201210381052.9
• 申請日: 2012-10-10
• 公開（公告）號: CN103426462B
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 金根國
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

1.一種半導體存儲器件，包括：

全體存儲體選擇信號發生模塊，所述全體存儲體選擇信號發生模塊被配置成接收電平信號并響應于全體存儲體刷新命令而產生全體存儲體選擇信號，所述電平信號包括關于已被刷新了的至少一個存儲體的信息；以及

包括多個存儲體的存儲體模塊，所述多個存儲體被配置成響應于所述全體存儲體選擇信號而被刷新，或響應于在所述電平信號被使能時被使能的單個存儲體選擇信號而被刷新,

其中，已經在單個存儲體刷新操作中被刷新了的存儲體在全體存儲體刷新操作中不被刷新。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述全體存儲體選擇信號是在所述電平信號被使能時被禁止的信號。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器件，其中，所述全體存儲體選擇信號發生模塊包括：

第一脈沖信號發生單元，所述第一脈沖信號發生單元被配置成產生響應于所述全體存儲體刷新命令而被使能的第一脈沖信號；以及

信號傳送單元，所述信號傳送單元被配置成響應于所述第一脈沖信號而緩沖所述電平信號，并產生所述全體存儲體選擇信號。

4.如權利要求3所述的半導體存儲器件，其中，所述信號傳送單元包括：

第一緩沖部，所述第一緩沖部被配置成響應于所述第一脈沖信號而反相緩沖第一電平信號，并產生第一全體存儲體選擇信號；以及

第二緩沖部，所述第二緩沖部被配置成響應于所述第一脈沖信號而反相緩沖第二電平信號，并產生第二全體存儲體選擇信號。

5.如權利要求4所述的半導體存儲器件，還包括：

單個存儲體選擇信號發生模塊，所述單個存儲體選擇信號發生模塊被配置成響應于單個存儲體刷新命令而產生所述電平信號和所述單個存儲體選擇信號。

6.如權利要求5所述的半導體存儲器件，其中，所述單個存儲體選擇信號發生模塊包括：

第二脈沖信號發生單元，所述第二脈沖信號發生單元被配置成產生響應于所述單個存儲體刷新命令而被使能的第二脈沖信號；以及

存儲體選擇單元，所述存儲體選擇單元被配置成儲存響應于所述第二脈沖信號而被使能的所述電平信號，并產生響應于所述電平信號而被使能的所述單個存儲體選擇信號。

7.如權利要求6所述的半導體存儲器件，其中，所述存儲體選擇單元包括：

第一存儲體選擇部，所述第一存儲體選擇部被配置成響應于所述第二脈沖信號而緩沖被傳送到第一節點的電源電壓，并產生所述第一電平信號和第一單個存儲體選擇信號；

第二存儲體選擇部，所述第二存儲體選擇部被配置成響應于所述第二脈沖信號而緩沖被傳送到第二節點的所述第一電平信號，并產生所述第二電平信號和第二單個存儲體選擇信號；以及

初始化信號發生部，所述初始化信號發生部被配置成當復位信號、所述第二電平信號以及所述第二脈沖信號中至少任何一個被使能時，產生用于將所述第一節點和所述第二節點初始化的初始化信號，所述復位信號在內部電壓的電平根據所述電源電壓的電平而上升的加電時段期間被使能。

8.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述第一存儲體選擇部包括：

第一鎖存部分，所述第一鎖存部分被配置成響應于所述第二脈沖信號而緩沖所述電源電壓，并儲存被使能的所述第一電平信號；以及

第一邏輯部分，所述第一邏輯部分被配置成產生在所述第一電平信號被使能時被使能的所述第一單個存儲體選擇信號。

9.如權利要求7所述的半導體存儲器件，其中，所述第二存儲體選擇部包括：

第二鎖存部分，所述第二鎖存部分被配置成響應于所述第二脈沖信號而緩沖所述第一電平信號，并儲存被使能的所述第二電平信號；以及

第二邏輯部分，所述第二邏輯部分被配置成產生在所述第二電平信號被使能時被使能的所述第二單個存儲體選擇信號。

10.如權利要求7所述的半導體存儲器件，還包括：

地址發生模塊，所述地址發生模塊被配置成在所述第一脈沖信號或所述第二脈沖信號輸入時產生內部地址。