[發(fā)明專利]薄膜晶體管主動裝置及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210381032.1
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN102856392A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江政隆;陳柏林
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，包括：基板及形成于基板上的數(shù)個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管具有柵極絕緣層與氧化物半導(dǎo)體主動層，該柵極絕緣層為氧化硅層，其折射率介于1.43~1.47之間。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括柵極，所述柵極絕緣層通過化學(xué)氣相沉積形成于柵極上。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述柵極絕緣層化學(xué)氣相沉積時，其氧化二氮與四氫化硅的流量比率大于30%。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體主動層含有氧化鋅、氧化錫、氧化銦及氧化鎵中至少一種，其通過濺射形成于柵極絕緣層上。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括形成于氧化物半導(dǎo)體主動層上的第一保護(hù)層，其通過化學(xué)氣相沉積形成于氧化物半導(dǎo)體層上。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括形成于第一保護(hù)層上的源極與漏極，該源極與漏極由金屬濺射于第一保護(hù)層上形成金屬層，再通過光罩制程制成，所述金屬層為鉬層、鋁層、鈦層或銅層其中之一或其疊層。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管主動裝置，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括形成于源極與漏極上的第二保護(hù)層，其通過化學(xué)氣相沉積形成于源極與漏極上。

8.一種薄膜晶體管主動裝置的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基板；

步驟2、在基板上通過濺射及光罩制程形成柵極；

步驟3、在柵極上通過化學(xué)氣相沉積形成柵極絕緣層，其化學(xué)氣相沉積時氧化二氮與四氫化硅的流量比率大于30%，且形成的柵極絕緣層的折射率介于1.43~1.47之間；

步驟4、在柵極絕緣層上通過濺射及光罩制程形成氧化物半導(dǎo)體主動層；

步驟5、在氧化物半導(dǎo)體主動層上通過化學(xué)氣相沉積及光罩制程形成第一保護(hù)層；

步驟6、在第一保護(hù)層上通過濺射制程形成金屬層，并通過光罩制程形成源極與漏極；

步驟7、在金屬層上形成第二保護(hù)層，并在該第二保護(hù)層上形成橋接孔；

步驟8、在第二保護(hù)層上通過濺射及光罩制程形成透明導(dǎo)電層，進(jìn)而制得薄膜晶體管主動裝置。

9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管主動裝置的制作方法，其特征在于，所述柵極含有鉬層、鋁層、鈦層或銅層其中之一或其疊層。

10.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管主動裝置的制作方法，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體主動層含有氧化鋅、氧化錫、氧化銦及氧化鎵中至少一種。

11.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管主動裝置的制作方法，其特征在于，所述金屬層含有鉬層、鋁層、鈦層或銅層其中之一或其疊層。

12.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管主動裝置的制作方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層含有為氧化銦錫層、氧化銦鋅層、氧化鋁鋅層或氧化鋅鎵層其中之一或其疊層。