[發明專利]疏水層、其制作方法、具有疏水層的物品及模具的制作方法

在審

• 申請號: 201210380980.3
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103710679A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 楊啟榮;蔡宗翰;吳思賢;張天立
• 申請（專利權）人: 楊啟榮
• 主分類號: C23C16/40
• 分類號: C23C16/40;B05D5/08
• 代理公司: 上海一平知識產權代理有限公司 31266
• 代理人: 須一平

1.一種疏水層的制作方法，其特征在于，該制作方法包含以下步驟：

（A）制備一基材；

（B）產生一反應氣體，該反應氣體主要成分為揮發態的烷基硅烷分子；

（C）施加該反應氣體及一等離子于該基材的一表面；及

（D）形成一疏水層于該基材的該表面。

2.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該基材的材質選自半導體材料、玻璃、金屬、塑膠、橡膠、高分子聚合物、陶瓷材料、纖維材料、巖石、土質材料、膠結性材料及涂料所組成的群組。

3.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：步驟（B）該反應氣體是借由通入一前驅氣體并與一反應溶液的揮發氣體混合而成，該前驅氣體為氮氣，該反應溶液主要成分為液態的烷基硅烷分子。

4.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：在步驟（C）該等離子是由一等離子單元產生，該等離子單元包括一腔體及一連通于該腔體的噴管；步驟（C）該反應氣體及該等離子是分別施加于該基材相對應的表面，且施以該等離子的細步驟為：通入一用于產生該等離子的制程氣體于該腔體，且施加一電壓于該噴管，使流通于該噴管中的該制程氣體解離產生該等離子，并讓該等離子從該噴管遠離該腔體的一管口導出而施加于該反應氣體與該基材。

5.如權利要求4所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該制程氣體為壓力至少5公斤/平方厘米的干燥潔凈空氣。

6.如權利要求4所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該噴管與該基材的距離范圍為5至30厘米。

7.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：在步驟（C）該等離子是由一等離子單元產生；該等離子單元包括一腔體及一連通于該腔體的噴管；步驟（C）中施以該等離子的細步驟為：通入一制程氣體及該反應氣體于該腔體，且施加一電壓于該噴管，使流通于該噴管中的該制程氣體與該反應氣體解離產生該等離子，并讓該等離子與該反應氣體從該噴管遠離該腔體的一管口導出而施加于該基材。

8.如權利要求7所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該制程氣體為壓力至少5公斤/平方厘米的干燥潔凈空氣。

9.如權利要求7所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該噴管與該基材的距離范圍為5至30厘米。

10.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該疏水層主要由硅及氧構成。

11.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該步驟（A）還在該基材施予一部分覆蓋該表面的圖案層；該步驟（D）中所形成的該疏水層覆蓋該圖案層以及該基材未受該圖案層覆蓋的部分表面；步驟（D）之后還包含一步驟（E）去除該圖案層以及覆蓋于該圖案層上的疏水層，而形成一圖案化的疏水層。

12.如權利要求11所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該圖案層的材料為感光的光阻；步驟（E）是借由一有機溶劑去除該圖案層并同時剝離該圖案層上的疏水層。

13.如權利要求1所述的疏水層的制作方法，其特征在于：該疏水層的厚度為300納米至500微米。

14.一種疏水層，形成于一基材表面，其特征在于：該疏水層借由權利要求1至13項中任一項的制作方法制成。

15.一種具有疏水層的物品，其特征在于：該物品包含

一基材；及

一疏水層，形成于該基材表面，

其中，該疏水層借由權利要求1至13項中任一項的制作方法制成。

16.如權利要求15所述的具有疏水層的物品，其特征在于：該基材為一集成電路芯片的金屬引腳，且該疏水層是形成于該金屬引腳的底端與頂端之間。

17.一種具有疏水層的物品，其特征在于：該物品包含

一基材；及

一疏水層，由施加于該基材表面的一反應氣體經等離子處理而形成于該基材表面，該反應氣體的主要成分為揮發態的烷基硅烷分子，該疏水層主要成分為硅及氧且厚度為300納米至500微米。

18.如權利要求17所述的具有疏水層的物品，其特征在于：該基材的材質選自半導體材料、玻璃、金屬、塑膠、橡膠、高分子聚合物、陶瓷材料、纖維材料、巖石、土質材料、膠結性材料及涂料所組成的群組。