[發明專利]側面粗化的倒裝發光二極管及其制作方法

無效

• 申請號: 201210380553.5
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN102903815A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 田婷;謝海忠;張逸韻;王兵;楊華;李璟;伊曉燕;王國宏
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/04;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種側面粗化的倒裝發光二極管，包括：

一上襯底和依次在上襯底上生長的一成核層和電子注入層，該電子注入層的一側形成一臺面；

一發光層，該發光層生長在電子注入層上；

一空穴注入層，該空穴注入層生長在發光層上；

一P電極，該P電極制作在空穴注入層上；

一N電極，該N電極制作在電子注入層的臺面上，形成LED芯片；

一下襯底；

一絕緣層，該絕緣層生長在下襯底上；

一P線電極，該P線電極制作在絕緣層上面的一側；

一N線電極，該N線電極制作在絕緣層上面的另一側，形成倒裝基板；

該LED芯片的P電極與倒裝基板的P線電極通過金屬焊球連接；該LED芯片的N電極與倒裝基板的N線電極通過金屬焊球連接。

2.根據權利要求1所述的側面粗化的倒裝發光二極管，其中上襯底的側面為連續的粗化表面或不連續的粗化表面。

3.根據權利要求2所述的側面粗化的倒裝發光二極管，其中上襯底的材料為藍寶石、Si、SiC、GaAs或玻璃，該上襯底的形狀為矩形、梯形、半圓形或半球形。

4.根據權利要求1所述的側面粗化的倒裝發光二極管，其中下襯底的材料為硅片、陶瓷、線路板或金屬板。

5.根據權利要求1所述的側面粗化的倒裝發光二極管，其中所述電子注入層的臺面的深度小于電子注入層的厚度。

6.一種側面粗化的倒裝發光二極管的制作方法，包括如下步驟：

步驟1：在一上襯底的側面進行粗化處理，形成連續的粗化表面或不連續的粗化表面；

步驟2：在上襯底上采用MOCVD方法依次生長成核層、電子注入層、發光層和空穴注入層；

步驟3：在空穴注入層上面的一側向下刻蝕，刻蝕深度到達電子注入層內，形成臺面；

步驟4：在空穴注入層上面未刻蝕的一側制作P電極；

步驟5：在電子注入層的臺面上制備N電極，形成LED芯片；

步驟6：在一下襯底上生長一層絕緣層；

步驟7：在絕緣層上制作P線電極和N線電極，形成倒裝基板；

步驟8：將LED芯片通過倒裝焊或鍵合的方法倒裝在倒裝基板上，所述LED芯片的P電極與倒裝基板的P線電極通過金屬焊球連接；該LED芯片的N電極與倒裝基板的N線電極通過金屬焊球連接，完成制備。

7.根據權利要求6所述的側面粗化的倒裝發光二極管的制作方法，其中所述電子注入層的臺面的深度小于電子注入層的厚度。

8.根據權利要求6所述的側面粗化的倒裝發光二極管的制作方法，其中所述下襯底的材料為硅片、陶瓷、線路板或金屬板。

9.根據權利要求6所述的側面結構的倒裝發光二極管的制作方法，其中所述上襯底的側面粗化，是用激光在上襯底的側表面形成誘導形狀，經腐蝕液腐蝕出三角形、菱形、圓形或多邊形的粗化表面，所述粗化表面為連續的粗化表面或不連續的粗化表面。

10.根據權利要求9所述的側面粗化的倒裝發光二極管的制作方法，其中上襯底的材料為藍寶石、Si、SiC、GaAs或玻璃，該上襯底的形狀為矩形、梯形、半圓形或半球形。