[發(fā)明專利]雙面鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210380118.2
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN102909918A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設計）人: 鄭芳平;張迅
• 申請（專利權）人: 江西沃格光電科技有限公司
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;C03C17/34
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種雙面鍍膜玻璃，包括玻璃基板，其特征在于，在所述玻璃基板的一面設有第一增透膜層，在所述玻璃基板的另一面依次層疊有第二增透膜層及ITO膜層；

其中，所述第一增透膜層包括依次層疊于所述玻璃基板一面上的第一Nb₂O₅膜層、第一SiO₂膜層、第二Nb₂O₅膜層及第二SiO₂膜層；

所述第二增透膜層包括依次層疊于所述玻璃基板另一面上的第三Nb₂O₅膜層、第三SiO₂膜層、第四Nb₂O₅膜層及第四SiO₂膜層。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述玻璃基板為TFT玻璃。

3.根據(jù)權利要求2所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述TFT玻璃的厚度為0.2mm~1mm。

4.根據(jù)權利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一Nb₂O₅膜層及所述第三Nb₂O₅膜層的厚度為12nm~14nm；所述第二Nb₂O₅膜層及所述第四Nb₂O₅膜層的厚度為110nm~114nm。

5.根據(jù)權利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述第一SiO₂膜層及所述第三SiO₂膜層的厚度為30nm~34nm；所述第二SiO₂膜層的厚度為83nm~86nm；所述第四SiO₂膜層的厚度為54nm~57nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的雙面鍍膜玻璃，其特征在于，所述ITO膜層的厚度為12nm~16nm。

7.一種雙面鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用磁控濺射鍍膜的方法，在玻璃基板的一面上依次形成第一Nb₂O₅膜層、第一SiO₂膜層、第二Nb₂O₅膜層及第二SiO₂膜層，以形成第一增透膜層；

采用磁控濺射鍍膜的方法，在玻璃基板的另一面上依次形成第三Nb₂O₅膜層、第三SiO₂膜層、第四Nb₂O₅膜層及第四SiO₂膜層，以形成第二增透膜層；及

采用磁控濺射鍍膜的方法，在所述第二增透膜層上形成ITO膜層，即得雙面鍍膜玻璃。

8.根據(jù)權利要求7所述的雙面鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述第一Nb₂O₅膜層及所述第三Nb₂O₅膜層的厚度為12nm~14nm；所述第二Nb₂O₅膜層及所述第四Nb₂O₅膜層的厚度為110nm~114nm；所述第一SiO₂膜層及所述第三SiO₂膜層的厚度為30nm~34nm；所述第二SiO₂膜層的厚度為83nm~86nm；所述第四SiO₂膜層的厚度為54nm~57nm；所述ITO膜層的厚度為12nm~16nm。

9.根據(jù)權利要求7所述的雙面鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述第一增透膜層及所述第二增透膜層的磁控濺射鍍膜工藝包括：將磁控濺射鍍膜的鍍膜箱抽真空，后向所述鍍膜箱內(nèi)充入氬氣及氧氣至真空度為0.4Pa~0.6Pa，在室溫下進行鍍膜。

10.根據(jù)權利要求7所述的雙面鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于，所述ITO膜層的磁控濺射鍍膜工藝包括：將磁控濺射鍍膜的鍍膜箱抽真空，后向所述鍍膜箱內(nèi)充入氬氣及氧氣至真空度為0.4Pa~0.6Pa，在溫度60℃~80℃下進行鍍膜。