[發明專利]膜形成裝置及膜形成方法

無效

• 申請號: 201210379859.9
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103043915A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 坂井 光廣;川口 義廣
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C03C17/00
• 分類號: C03C17/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王璐

技術領域

本發明涉及一種膜形成裝置及膜形成方法，尤其是涉及一種在太陽能電池板的受光面形成抗反射膜的膜形成裝置及膜形成方法。

背景技術

太陽能電池具有積層著n型硅與p型硅而成的半導體構造，如果對該半導體照射特定波長的光，那么因光電效應而產生電。該太陽能電池為了高效地吸收太陽光等光，通常以抗反射膜覆蓋其板(稱為太陽能電池板)的受光面。

以往，作為在太陽能電池板上形成抗反射膜的方法，例如，如專利文獻1所揭示，已知利用等離子CVD(Chemical?Vapor?Deposition，化學氣相沉積)法而在所述板上形成含有氫的氮化硅膜的技術等。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2005-340358號公報

發明內容

[發明要解決的問題]

然而，在利用等離子CVD法形成抗反射膜的情況下，需要真空排氣設備等，而導致設備成為大規模，因此，存在成本增大的課題。

作為解決所述課題的方法，存在以下方法，即，通過對太陽能電池板涂布特定的涂布液，且煅燒涂布膜，而形成抗反射膜。根據該方法，即便不是真空環境，也可在板上形成抗反射膜，從而可降低成本。

作為通過所述涂布膜形成而在板上形成抗反射膜的裝置，本申請案申請人以往一直使用如圖11所示的布局構成的膜形成裝置50。

在圖11的膜形成裝置50中，首先利用載入器(loader)51，將作為被處理基板的例如長方形的玻璃基板G每1片地供給至旋轉送入裝置52。

旋轉送入裝置52(例如以短邊側成為前后方向的方式)改變由載入器51供給的玻璃基板G的朝向，且將玻璃基板G搬入至擦洗單元53。

利用刷洗對搬入至擦洗單元53的玻璃基板G進行清洗處理，之后，實施利用具有加熱器的干燥單元54而使殘留在基板面的清洗液干燥的處理。

其次，利用搬送機器人55而將玻璃基板G搬入至涂布處理單元56，在該涂布處理單元56中，通過具有沿基板寬度方向延伸的狹縫狀的噴嘴口的噴嘴56a在基板G的被處理面上進行掃描，而在所述被處理面上涂布形成抗反射膜用的涂布膜。

利用搬送機器人57，將形成著涂布膜的玻璃基板G從涂布處理單元56中搬出，并且搬入至減壓干燥單元58。

在減壓干燥單元58中，玻璃基板G收納在腔室(未圖示)內，通過使所述腔室內減壓至特定壓力，而除去大部分溶劑。

實施減壓干燥處理后的玻璃基板G由搬送機器人59取出并交付給路徑單元60，利用輸送機搬送而被搬入至熱處理單元61。

在熱處理單元61中，例如一面對玻璃基板G進行輥搬送，一面利用加熱器(未圖示)將玻璃基板G加熱至特定溫度，來煅燒被處理面上的涂布膜，從而形成抗反射膜。而且，如果將玻璃基板G搬出熱處理單元，那么立即利用冷卻單元62將其冷卻至特定溫度，利用輸送機搬送而將其交付給旋轉送入裝置63，利用旋轉送入裝置63而使玻璃基板G返回至載入器51。

然而，在圖11所示的膜形成裝置50中，當實施所述一系列的處理時，需要3臺搬送機器人，其結果，存在占地面積(footprint)增大、且處理線的全長變長的課題。

而且，由于處理線的全長變長，且在涂布處理單元56及減壓干燥單元58中，必須由搬送機器人55、57、59每1片地進行玻璃基板G的搬入搬出操作，所以節拍時間(Tact?Time)變長，而存在生產率降低的課題。

此外，以往當在熱處理單元61中煅燒基板G上的涂布膜時，干燥從涂布膜的表面開始進行，而存在膜內部的煅燒不完全、或用來使膜整體完全煅燒所需的熱處理單元的長度變長的課題。

本發明是鑒于如上所述的背景技術的問題而完成的，其提供一種在對太陽能電池板的受光面形成抗反射膜的膜形成裝置中可縮小裝置的占地面積并且縮短處理線的長度、且可實現裝置成本的降低及生產率的提升的膜形成裝置及膜形成方法。

[解決問題的技術手段]

為了解決所述課題，本發明的膜形成裝置通過對構成太陽能電池板的被處理基板涂布特定的涂布液，且煅燒所形成的涂布膜，而形成抗反射膜，該膜形成裝置的特征在于包括：涂布處理機構，沿水平方向搬送所述被處理基板，并且從具有在所述基板的寬度方向上較長的噴出口的噴嘴噴出所述涂布液，而在所述基板上形成涂布膜；第1加熱處理機構，在第1加熱溫度下加熱形成著所述涂布膜的所述基板；及第2加熱處理機構，在高于所述第1加熱溫度的第2加熱溫度下加熱由所述第1加熱處理機構加熱過的所述基板。