[發明專利]磁存儲裝置、頭驅動控制裝置及頭驅動控制方法

有效

• 申請號: 201210379728.0
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103106904A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 城石芳博;福田宏;田河育也;岡田智弘
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127;G11B5/60;G11B5/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.一種磁存儲裝置，其特征在于，包括：

磁記錄介質；

微波輔助記錄磁頭，其包括：產生用于寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；

再現磁頭，其從所述磁記錄介質讀取信息；以及

控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，

在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，借助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，

在來自所述磁記錄介質的信息再現時的至少規定期間及查找時的至少一方，停止向所述高頻磁場振蕩元件的通電。

2.一種磁存儲裝置，其特征在于，包括：

磁記錄介質；

微波輔助記錄磁頭，其包括：產生用于寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；

再現磁頭，該再現磁頭從所述磁記錄介質讀取信息；以及

控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，

在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，借助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，

在來自所述磁記錄介質的信息再現之前，向與所述記錄動作時相反的方向，向所述高頻磁場振蕩元件通電。

3.一種磁存儲裝置，其特征在于，包括：

磁記錄介質；

微波輔助記錄磁頭，其包括：產生用于寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；

再現磁頭，其從所述磁記錄介質讀取信息；以及

控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，

在進行對所述磁記錄介質的記錄動作時，借助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電，

在緊接所述記錄之后，向與所述記錄動作時相反的方向，向所述高頻磁場振蕩元件通電。

4.一種磁存儲裝置，其特征在于，包括：

磁記錄介質；

微波輔助記錄磁頭，該微波輔助記錄磁頭包括：產生用于寫入所述磁記錄介質的記錄磁場的記錄磁極、產生高頻磁場的高頻磁場振蕩元件、及向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構；

再現磁頭，該再現磁頭從所述磁記錄介質讀取信息；以及

控制、處理所述記錄磁頭的記錄動作和所述再現磁頭的再現動作的機構，

在記錄動作時，比向所述記錄磁極的通電提前規定期間，借助向所述高頻磁場振蕩元件通電的機構向所述高頻磁場振蕩元件通電。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述微波輔助記錄磁頭具有記錄磁極和輔助磁極，且在記錄磁極和輔助磁極之間的間隙部具有所述高頻磁場振蕩元件。

6.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特征在于，

向所述磁存儲裝置的記錄再現特性被調整為最優化的所述高頻磁場振蕩元件通電的定時和向所述記錄磁極通電的定時存儲在所述磁存儲裝置的動作控制所用的寄存器中。

7.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述磁存儲裝置還包括控制所述高頻磁場振蕩元件和所述磁記錄介質的空隙的機構，并將使所述磁記錄裝置的記錄再現特性調整為最優化的空隙的值存儲在寄存器中。

8.根據權利要求6所述的磁存儲裝置，其特征在于，

在所述磁存儲裝置的環境發生了變化的情況下，再調整向所述高頻振蕩元件通電的定時。

9.根據權利要求7所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述記錄再現特性為再現輸出或錯誤率。

10.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述環境的變化為溫度變化。

11.根據權利要求8所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述環境的變化為氣壓變化。

12.根據權利要求1至4中任意一項所述的磁存儲裝置，其特征在于，

所述磁記錄介質為圖形介質。