[發(fā)明專利]光伏裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210379654.0
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103094364B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋南圭;吳旼錫;李允錫;李草英
• 申請（專利權(quán)）人: 智基石盾科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0747;H01L31/20;H01L31/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 韓明星,劉燦強

1.一種光伏裝置，所述光伏裝置包括：

半導(dǎo)體基底；

非晶的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體基底的第一表面的第一區(qū)域上并且包含第一雜質(zhì)；

非晶的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體基底的第一表面的第二區(qū)域上并且包含第二雜質(zhì)；以及

間隙鈍化層，在半導(dǎo)體基底上位于第一區(qū)域和第二區(qū)域之間，

其中，間隙鈍化層位于半導(dǎo)體基底的第一表面的在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的第三區(qū)域上，使得第一區(qū)域上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二區(qū)域上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的每個不橫向地延伸到第三區(qū)域中，

其中，包含第一雜質(zhì)的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層還以與形成在半導(dǎo)體基底的第一區(qū)域上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的高度不同的高度形成在間隙鈍化層上。

2.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層完全覆蓋間隙鈍化層。

3.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，半導(dǎo)體基底的表面中的至少一個表面被紋理化。

4.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，所述光伏裝置還包括：

第一非晶硅層，位于半導(dǎo)體基底和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；

第一透明導(dǎo)電層，在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；以及

第一金屬電極，在第一透明導(dǎo)電層上。

5.如權(quán)利要求4所述的光伏裝置，其中，間隙鈍化層的厚度大于第一非晶硅層、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第一透明導(dǎo)電層的厚度的總和。

6.如權(quán)利要求4所述的光伏裝置，其中，第一非晶硅層、第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第一透明導(dǎo)電層完全覆蓋間隙鈍化層。

7.如權(quán)利要求4所述的光伏裝置，所述光伏裝置還包括：

第二非晶硅層，位于半導(dǎo)體基底和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；

第二透明導(dǎo)電層，在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層上；以及

第二金屬電極，在第二透明導(dǎo)電層上。

8.如權(quán)利要求7所述的光伏裝置，其中，間隙鈍化層的厚度大于第二非晶硅層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二透明導(dǎo)電層的厚度的總和。

9.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，所述光伏裝置還包括：

第二表面保護層，在半導(dǎo)體基底的與第一表面大體相對的第二表面上；

第二表面場層，形成在半導(dǎo)體基底的第二表面上；以及

抗反射層，形成在第二表面保護層和第二表面場層上。

10.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，間隙鈍化層包括包含SiO_x層和SiN_x層的雙層或包含SiO_x層和SiON層的雙層。

11.如權(quán)利要求7所述的光伏裝置，其中，第一非晶硅層和第二非晶硅層中的至少一個具有至之間的厚度。

12.如權(quán)利要求7所述的光伏裝置，其中，第一透明導(dǎo)電層和第二透明導(dǎo)電層中的至少一個具有至之間的厚度。

13.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層中的至少一個具有至的厚度。

14.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層是p型，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層是n型。

15.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層是n型，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層是p型。

16.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其中，第一區(qū)域和第二區(qū)域通過在第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的間隙鈍化層彼此分隔開，并彼此交替。