[發(fā)明專利]半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)以及其形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210379521.3
• 申請(qǐng)日: 2012-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN103715075A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江圳陵
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;H01L29/49;H01L29/423
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其包括以下步驟：

提供一介電結(jié)構(gòu)與一堆疊結(jié)構(gòu)以形成一溝槽；

在該介電結(jié)構(gòu)與該堆疊結(jié)構(gòu)上共形地形成一第一導(dǎo)電層；以及

在該第一導(dǎo)電層的一頂部區(qū)域上形成一氧化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中該氧化層是使用一等離子體氧化而形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中該等離子體氧化步驟的壓力是從0.1?torr到0.5?torr。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其還包含移除至少該氧化層的步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其還包含在該第一導(dǎo)電層上形成一第二導(dǎo)電層的步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層在相鄰于該介電結(jié)構(gòu)的一第一區(qū)域處具有一第一厚度，以及在相鄰于該堆疊結(jié)構(gòu)的一第二區(qū)域處具有一第二厚度，其中該第一厚度對(duì)該第二厚度的比值是從50%到95%。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中該堆疊結(jié)構(gòu)還包含一第三導(dǎo)電層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其中該堆疊結(jié)構(gòu)還包含一第一介電層，而該第三導(dǎo)電層以及設(shè)置在該第三導(dǎo)電層上的一第二介電層是設(shè)置于該第一介電層之上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)的方法，其特征在于其還包含將至少一部分的該第一導(dǎo)電層轉(zhuǎn)換為該氧化層的步驟。

10.一種半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其包含：

一溝槽，是經(jīng)由一介電結(jié)構(gòu)以及一堆疊結(jié)構(gòu)而形成；以及

一導(dǎo)電填充結(jié)構(gòu)，是設(shè)置在該介電結(jié)構(gòu)以及該堆疊結(jié)構(gòu)上，

其中該導(dǎo)電填充結(jié)構(gòu)包含至少二個(gè)導(dǎo)電層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該堆疊結(jié)構(gòu)更包含：

一基板；

一第一介電層，是設(shè)置在該基板上；

一第三導(dǎo)電層，是設(shè)置在該第一介電層上；以及

一第二介電層，是設(shè)置在該第三導(dǎo)電層上。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該介電結(jié)構(gòu)延伸至該基板并相鄰于該堆疊結(jié)構(gòu)。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該至少二個(gè)導(dǎo)電層還包含一第一導(dǎo)電層，其是共形地設(shè)置在該介電結(jié)構(gòu)與該堆疊結(jié)構(gòu)上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該至少二個(gè)二或者更多導(dǎo)電層還包含一第二導(dǎo)電層，其是設(shè)置在該第一導(dǎo)電層上。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層在相鄰于該介電結(jié)構(gòu)的一區(qū)域處具有一第一厚度，以及在相鄰于該堆疊結(jié)構(gòu)的另一區(qū)域處具有一第二厚度，其中該第一厚度對(duì)該第二厚度的比值是從50%到95%。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該溝槽的一底部部分是經(jīng)由該堆疊結(jié)構(gòu)而定義。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該溝槽的一側(cè)壁部分是經(jīng)由該介電結(jié)構(gòu)而定義。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層具有一U形開口。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該第一導(dǎo)電層具有一V形開口。