[發明專利]一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路

有效

• 申請號: 201210379400.9
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN102882181A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 黃善兵;翟建光;甘彥君
• 申請（專利權）人: 深圳市新國都技術股份有限公司
• 主分類號: H02H3/08
• 分類號: H02H3/08;H02H11/00;H02H3/20
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 李新林

1.一種基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，其包括有：熔斷器（FU1）、雙向可控硅（Q1）及穩壓管（D1），所述熔斷器（FU1）的第一端為電源端（VIN），其第二端為供電輸出端（VCC），該第二端還通過第一電阻（R1）而連接至穩壓管（D1）的陰極，該穩壓管（D1）的陽極通過第二電阻（R2）接地，所述熔斷器（FU1）的第二端還連接雙向可控硅（Q1）的第一極，所述雙向可控硅（Q1）的第二極接地，其控制極連接至穩壓管（D1）的陽極。

2.如權利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述熔斷器（FU1）為自恢復型保險絲。

3.如權利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述穩壓管（D1）的鉗位電壓為12V。

4.如權利要求3所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述第一電阻（R1）與第二電阻（R2）的電阻值相等。

5.如權利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述電源端（VIN）還通過第一電容（C1）接地。

6.如權利要求1所述的基于雙向可控硅的反接保護及過壓保護電路，其特征在于，所述第二電阻（R2）還并聯有第二電容（C2）。